合肥幺正量子科技有限公司陶思景获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥幺正量子科技有限公司申请的专利一种离子阱芯片的厚膜层生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119774541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411882973.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种离子阱芯片的厚膜层生成方法是由陶思景;贺冉设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离子阱芯片的厚膜层生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种离子阱芯片的厚膜层生成方法，具体的包括：S1：在离子阱芯片的衬底上生长第一键合层；S2：在厚膜层所需材料上生长第二键合层；S3：通过键合工艺，将第一键合层与第二键合层进行键合；S4：通过减薄工艺，将厚膜层所需材料的厚度减薄至预设厚度。本发明避免了整个离子阱芯片均采用生长方式所产生的速度限制，也解决了生长的薄膜越厚，质量越难以保证的问题。
本发明授权一种离子阱芯片的厚膜层生成方法在权利要求书中公布了：1.一种离子阱芯片的厚膜层生成方法，其特征在于，所述方法包括： S1：在离子阱芯片的衬底上生长第一键合层1； S2：在厚膜层4所需材料上生长第二键合层3； S3：通过键合工艺，将第一键合层1与第二键合层3进行键合； S4：通过减薄工艺，将键合后的厚膜层4材料通过化学机械抛光的方式减薄至预设厚度，使厚膜层4上制备的盲孔中的第三导电材料8裸露出来，厚膜层4的远离第二键合层3的表面与预备片5远离第一键合层1的表面实现电气互联，所述预备片5为在离子阱芯片的衬底上制备的。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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