湖南斯北图科技有限公司纪城获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南斯北图科技有限公司申请的专利卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119782202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411962740.3,技术领域涉及:G06F12/02;该发明授权卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法及系统是由纪城;吴月辉设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法及系统,该方法包括:将FLASH芯片划分为数据存储区、坏块映射区与其他数据区;在其他数据区构建坏块表;将坏块表中的坏块地址映射至坏块映射表;在写入或读出数据时,查看当前操作MB是否为坏块,若是则映射至坏块映射区进行操作;在擦除、写入、读出数据时,若出现失败对该MB地址进行坏块标记;在读出数据址时,若读出的数据无法正常恢复时对该MB地址进行坏块标记。本发明应用于卫星数据管理领域,能够在避免因为坏块导致数据错误的同时,使存储数据区比常规三模冗余存储数据容量更多,避免实际存储容量降低的问题,而且功能实现简单,坏块判断和处理时间消耗短。
本发明授权卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种卫星使用的FLASH单模数据存储坏块管理方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1,将FLASH芯片划分为数据存储区、坏块映射区与其他数据区,其中,所述坏块映射区、所述其他数据区均采用三模冗余设计; 步骤2,在三个所述其他数据区构建相同的坏块表,其中,所述坏块表对应数据存储区中每1MB空间的地址以及坏块状态; 步骤3,在FLASH芯片电后进入坏块自检状态,将自检过程中发现的坏块地址记录至本地缓存中,并在自检完成后将所有坏块地址写入每一所述坏块表中; 步骤4,三模读取所述其他数据区中存储的坏块表,再将所述坏块表中的坏块地址映射至坏块映射表,其中,所述坏块映射表对应数据存储区中每1MB空间的地址以及坏块状态,具体为: 三模读取所述其他数据区中存储的坏块表,读取三模冗余后的数据更新至本地缓存中,再将三份所述坏块表中的坏块地址映射至坏块映射表,即将三模坏块表存储在本地,以减少在轨单粒子翻转影响其中;对于任一整MB地址,当三份所述坏块表均标记其为坏块时,则在所述坏块映射表标记其为坏块,否则标记其为非坏块; 步骤5,在FLASH芯片进入工作状态后: 在写入或读出数据到整MB地址时,读取坏块映射表查看当前操作的整MB空间是否为坏块,若是则同时映射至三个所述坏块映射区进行操作,否则正常操作; 在擦除、写入、读出数据到整MB地址时,若出现失败对该整MB地址进行坏块标记,同时更新本地缓存中的坏块表和坏块映射表; 在读出数据到整MB地址时,若读出的数据无法正常恢复时对该整MB地址进行坏块标记,同时更新本地缓存中的坏块表和坏块映射表; 步骤6,在FLASH芯片停止工作状态后,将本地缓存的坏块表更新至三个所述其他数据区。
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