北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学赵东艳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411940490.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片是由赵东艳;陈燕宁;吴波;郭建民;任堃;吴永玉;刘芳;邓永峰;郁文;罗宗兰设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。浅槽隔离形成方法包括：提供一衬底，并在衬底的上表面依次形成缓冲层和具有刻蚀窗口的停止层；通过刻蚀窗口对缓冲层进行第一刻蚀处理，以在缓冲层形成缓冲沟槽；其中，缓冲沟槽的槽壁为内凹的弧状构型；对缓冲沟槽的槽底进行第二刻蚀处理，以在缓冲沟槽底部的衬底形成初始隔离沟槽；初始隔离沟槽与缓冲沟槽相接的槽口为圆滑的倒角构型；对初始隔离沟槽的槽底进行第三刻蚀处理，以加深初始隔离沟槽的深度，形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成浅槽隔离。通过本发明，能在浅槽隔离的开口形成圆滑的倒角，提升半导体结构的性能稳定性，提高半导体的可靠性。
本发明授权浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述浅槽隔离形成方法包括： 提供一衬底，并在所述衬底的上表面依次形成缓冲层和具有刻蚀窗口的停止层；其中，所述刻蚀窗口能够暴露所述缓冲层； 通过刻蚀窗口对所述缓冲层进行第一刻蚀处理，以在所述缓冲层形成缓冲沟槽；其中，所述缓冲沟槽的槽壁为内凹的弧状构型；所述缓冲沟槽能够暴露所述衬底；缓冲沟槽底部的槽壁与衬底之间的夹角大于90°从而能够暴露待形成的初始隔离沟槽的槽口； 对所述缓冲沟槽的槽底进行第二刻蚀处理，以在所述衬底形成初始隔离沟槽；其中，所述初始隔离沟槽与所述缓冲沟槽相接的槽口为圆滑的倒角构型； 对所述初始隔离沟槽的槽底进行第三刻蚀处理，以加深所述初始隔离沟槽的深度，在所述衬底形成隔离沟槽； 填充所述隔离沟槽，形成浅槽隔离。
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