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龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种1.5T SONOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411982630.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权一种1.5T SONOS器件及其制备方法是由杨梓宽;綦殿禹;高大为;吴永玉设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种1.5T SONOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种1.5TSONOS器件及其制备方法。本发明在不增加ONO层厚度以及存储管栅极横向长度的情况下，在衬底表面形成斜坡，淀积ONO层，增加了存储栅极对沟道的控制能力以及增加了ONO层的长度，提高了ONO层中缺陷的总数目，达到提升器件电荷存储能力的效果，可以提升器件的工作性能。

本发明授权一种1.5T SONOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种1.5TSONOS器件的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 步骤1：半导体衬底上，先进行掺杂，形成PWell，然后自身氧化生成一层二氧化硅氧化层； 步骤2：在已经生长好的二氧化硅氧化层上面沉积一层第一多晶硅，然后对第一多晶硅进行离子掺杂注入，注入As； 步骤3：制作图形化掩模板，在硅片上涂覆一层光刻胶，并通过光刻技术将掩模板上的图案转移到光刻胶层中； 之后进行显影处理，去除曝光区域的光刻胶，使硅片表面暴露出待刻蚀区域；去除所述待刻蚀区域的所述第一多晶硅和所述二氧化硅氧化层，并沿剩余的第一多晶硅的一侧在PWell中生成两边有斜坡的凹槽； 步骤4：在表面生成一层ONO层； 步骤5：去除所述第一多晶硅侧壁、所述第一多晶硅下方的二氧化硅氧化层侧壁及所述凹槽侧壁之外的ONO层，在所述第一多晶硅另一侧及所述凹槽底部的PWell中进行轻掺杂注入，再进行离子重掺杂； 步骤6：利用硅自身氧化生成一层二氧化硅氧化层； 步骤7：在步骤6的氧化层生长完成之后再在整个硅片表面淀积一层第二多晶硅，以二氧化硅为阻挡层进行CMP研磨； 步骤8：制作图形化掩模板，然后进行光刻，去除掉多余的第二多晶硅，仅保留第一多晶硅朝向所述凹槽的侧壁上的第二多晶硅和所述斜坡上的第二多晶硅，随后对保留的第二多晶硅进行掺杂； 步骤9：在表面沉积一层氮化硅薄膜，然后进行光刻去除掉多余的氮化硅，在所述第一多晶硅另一侧的ONO层侧壁上和所述第二多晶硅侧壁上形成侧墙； 步骤10：淀积NiSi形成金属电极，沉积高密度二氧化硅； 步骤11：利用图形化掩模板刻蚀高密度二氧化硅，打开通孔；在通孔表面沉积一层TiN，再在通孔中沉积金属钨，形成金属互连通孔。

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