买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中电海康集团有限公司申请的专利自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311291129.8，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法是由顾耀玉;李州;刘波;周铁军设计研发完成，并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成叠层单元和包覆叠层单元的介质层，叠层单元包括磁隧道结和SOT层，介质层包括顶部介质子层和侧部介质子层；在介质层上形成光刻处理层；图形化光刻处理层，以形成电互连沟槽；根据图形化后的光刻处理层刻蚀介质层，以露出SOT层的上表面或露出SOT层的侧壁；沉积导电材料，形成覆盖介质层的导电层；平坦化导电层，以使导电层形成至少两个相互独立的导电结构。本发明能够降低底部钉扎型SOT‑MRAM的制作成本。

本发明授权自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道矩磁性存储器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底6上形成叠层单元1和包覆所述叠层单元1的介质层2，所述叠层单元1自下而上依次包括：磁隧道结11和SOT层12，所述介质层2包括：沿上下方向与所述SOT层12重叠的顶部介质子层21和位于所述叠层单元1周侧的侧部介质子层23； 在所述介质层2上形成光刻处理层3； 图形化所述光刻处理层3，以在所述光刻处理层3上形成至少两个相互独立的电互连沟槽31；其中，每个所述电互连沟槽31沿上下方向分别与部分所述顶部介质子层21和部分所述侧部介质子层23重叠，或每个所述电互连沟槽31沿所述上下方向与部分所述侧部介质子层23重叠，且所述电互连沟槽31的侧壁沿所述上下方向与所述SOT层12的侧壁重叠； 根据图形化后的所述光刻处理层3刻蚀所述介质层2，以在所述电互连沟槽31沿上下方向分别与部分所述顶部介质子层21和部分所述侧部介质子层23重叠时，露出所述SOT层12的上表面，或以在所述电互连沟槽31沿所述上下方向与部分所述侧部介质子层23重叠，且所述电互连沟槽31的侧壁沿所述上下方向与所述SOT层12的侧壁重叠时，露出所述SOT层12的侧壁； 沉积导电材料，形成覆盖所述介质层2的导电层5； 平坦化所述导电层5，以使所述导电层5形成至少两个相互独立的导电结构51。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中电海康集团有限公司，其通讯地址为：311100 浙江省杭州市余杭区爱橙街198号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。