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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510032213.0，技术领域涉及：H10K71/60；该发明授权一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺是由张永爱;邹振游;翁书臣;申异凡;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺，包括：在衬底上制备第一电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极；在第一电极上制备第一传输层；在第一传输层和第一栅极调控电极上制备第一调控层；在第一调控层上制备第二传输层；在第二传输层上制备发光功能层；在发光功能层上制备第三传输层，在第三传输层和第二栅极调控电极上制备第二调控层；在第二调控层上制备第四传输层，在第四传输层上制备第二电极。同一侧的传输层和调控层对应电荷极性相反，以使调控电极施加对应电压时，可以调整载流子在同侧传输层之间的迁移率，进而调整发光器件的发光效率和或发光亮度。本发明的发光器件可以进行灵活且高效地栅极调控。

本发明授权一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种电流型双栅极调控单向节截流复合发光器件制备工艺，其特征在于，所述工艺包括： 步骤S1、在衬底上镀膜第一导电层，对所述第一导电层进行光刻，形成第一电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极； 步骤S2、通过薄膜沉积在所述第一电极上覆盖第一甲种载流子材料层，对所述第一甲种载流子材料层进行光刻，形成第一传输层对所述第一电极进行覆盖； 步骤S3、通过薄膜沉积在所述第一传输层和所述第一栅极调控电极上覆盖第一乙种载流子材料层，对所述第一乙种载流子材料层进行光刻，在所述第一传输层和所述第一栅极调控电极上形成第一调控层；其中，所述甲种载流子和所述乙种载流子携带的电荷相反； 步骤S4、通过薄膜沉积在所述第一调控层上覆盖第二甲种载流子材料层，对所述第二甲种载流子材料层进行光刻，形成第二传输层； 步骤S5、根据发光器件的种类，在所述第二传输层上制备发光功能层； 步骤S6、通过薄膜沉积在所述发光功能层上覆盖第二乙种载流子材料层，对所述第二乙种载流子材料层进行光刻，形成第三传输层； 步骤S7、通过薄膜沉积在所述第三传输层和所述第二栅极调控电极上覆盖第三甲种载流子材料层，对所述第三甲种载流子材料层进行光刻，在所述第三传输层和所述第二栅极调控电极上形成第二调控层； 步骤S8、通过薄膜沉积在所述第二调控层上覆盖第三乙种载流子材料层，对所述第三乙种载流子材料层光刻，形成第四传输层； 步骤S9、在所述第四传输层上镀膜第二导电层，对所述第二导电层进行光刻，形成第二电极；其中，当所述第一栅极调控电极施加对应的栅压，增加所述甲种载流子在所述第一传输层和第二传输层之间的迁移率，进而改变所述发光功能层的载流子复合效率以调整所述发光器件的发光效率和或发光亮度；当所述第二栅极调控电极施加对应的栅压，增加所述乙种载流子在所述第三传输层和第四传输层之间的迁移率，进而改变所述发光功能层的载流子复合效率以调整所述发光器件的发光效率和或发光亮度。

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