武汉理工大学蹇守卫获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂及其制备和使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119822677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790265.6，技术领域涉及：C04B24/12；该发明授权一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂及其制备和使用方法是由蹇守卫;潘宇晴;黄健翔;高欣;代飞;彭博;陈家轩;何欣欣;王莉婷;牛中培设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂及其制备和使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂，按重量份包括如下组分：芯片污泥分离液310～560份，硬脂酸3～15份，离子液体或有机溶剂10000～19860份，胺类改性剂60～107份，铁盐溶液15～46份，水277～875份；其中芯片污泥分离液通过将芯片污泥加水制浆，然后加入酸液、含氢硅油乳液、表面活性剂、乳化剂进行加热搅拌，乳化，静置沉淀、过滤，收集滤液得到。本发明所述磷建筑石膏增强剂可实现芯片污泥中氟化钙、含铝组分等多种有效组分的资源化利用，具有显著的经济和环境效益；将其应用于增强磷石膏制品，可兼顾良好的力学性能和防水性能，可为高性能磷石膏制品的制备提供一条新思路。
本发明授权一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂及其制备和使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于芯片污泥的磷建筑石膏增强剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：芯片污泥分离液310~560份，硬脂酸3~15份，离子液体或有机溶剂10000~19860份，胺类改性剂60~107份，铁盐溶液15~46份，水277~875份；其中芯片污泥分离液通过将芯片污泥加水制浆，然后加入酸液、含氢硅油乳液、表面活性剂、乳化剂进行加热搅拌，乳化，静置沉淀、过滤，收集滤液得到； 所述芯片污泥分离液中，引入的各组分及其所占重量份数包括：芯片污泥285~487份，酸液10~15份，表面活性剂4~10份，乳化剂10~28份，含氢硅油乳液2~15份； 所述芯片污泥中，主要化学成分及其含量包括：氟化钙30~70%，含铝组分0.5~10%，二氧化硅5~20%，磷酸盐7.10~27.60gkg；其含水率为60~80%，pH值为6.5~8.5。
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