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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种自调制高压线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093804.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种自调制高压线性稳压器是由章国豪;曾文俊;陈亮;张志浩;杨正鑫设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自调制高压线性稳压器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种自调制高压线性稳压器，通过本申请提供的高压线性稳压器将误差放大器的电压端与所述电压输出端口电连接，使得误差放大器能够在自调制的输出电压下工作，这不仅避免了对额外预稳压模块的需求，同时也减少了电路所需高压管的数量。本申请提供自调制LDO结构能够在不采用任何预稳压电路模块的情况下，减少所需高压MOS管的数量，并且提高输出电压对电源变化的抑制能力，从而提高输出电压的稳定性和精确度。

本发明授权一种自调制高压线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种自调制高压线性稳压器，包括：高压输入电压、偏置电路、误差放大器、功率负载管、反馈电阻网络和电压输出端口，其特征在于，包括： 所述误差放大器的电压端与所述电压输出端口电连接； 所述误差放大器具体包括：7个低压NMOS管MN1~MN6、MN8、高压NMOS管MN7、6个低压PMOS管MP1~MP5、MP8和补偿电容Cc； 低压PMOS管MP1的栅极与所述反馈电阻网络连接，低压PMOS管MP1的源极分别与低压PMOS管MP2的源极以及低压PMOS管MP8的漏极连接，低压PMOS管MP1的漏极与低压NMOS管MN2的漏极连接，低压NMOS管MN2的源极接地； 低压PMOS管MP2的栅极用于接入输入参考电压，低压PMOS管MP2的漏极分别与低压NMOS管MN3的漏极、栅极以及低压NMOS管MN4的栅极连接，低压NMOS管MN3的源极接地； 低压NMOS管MN2的源极接地，低压NMOS管MN2与低压NMOS管MN1的栅极均与低压PMOS管MP1的漏极连接，低压NMOS管MN1的漏极分别与低压PMOS管MP3的栅极、漏极以及低压PMOS管MP4的栅极连接； 低压PMOS管MP3与低压PMOS管MP4的源极与第一偏置电流输出端口连接； 低压PMOS管MP4的漏极与低压NMOS管MN4的漏极连接，低压NMOS管MN4的源极接地； 低压PMOS管MP5的栅极与低压PMOS管MP4的漏极连接，低压PMOS管MP5的源极与所述第一偏置电流输出端口连接，低压PMOS管MP5的漏极与低压NMOS管MN5的漏极连接； 低压PMOS管MP8的源极与所述第一偏置电流输出端口连接，低压PMOS管MP8的栅极与低压PMOS管MP8的漏极连接； 补偿电容Cc的一端连接在低压PMOS管MP4的漏极与低压NMOS管MN4的漏极之间，另一端连接在低压PMOS管MP5的漏极与低压NMOS管MN5的漏极之间； 低压NMOS管MN8的栅极连接在低压PMOS管MP5的漏极与低压NMOS管MN5的漏极之间，低压NMOS管MN8的漏极与所述电压输出端口连接，低压NMOS管MN8的源极接地； 高压NMOS管MN7与低压NMOS管MN6为共源共栅管，高压NMOS管MN7漏极与第二偏置电流输出端口连接，高压NMOS管MN7的源极与低压NMOS管MN6的漏极连接，低压NMOS管MN6的源极与低压NMOS管MN8的栅极连接，低压NMOS管MN6的栅极与低压PMOS管MP8的漏极连接。

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