中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司黄兴凯获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311331623.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器结构及其形成方法是由黄兴凯设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底上形成若干垫层结构以及位于垫层结构表面的有源层，各垫层结构沿第二方向与第一方向阵列排布，有源层覆盖垫层结构的顶部和垫层结构沿第一方向的侧壁，有源层暴露垫层结构沿第二方向的侧壁，有源层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布；在第二方向上相邻垫层结构之间形成隔离结构并在各垫层结构上的有源层表面形成若干浮栅，隔离结构的顶部表面高于或齐平于有源层底部表面，浮栅在第二方向上位于相邻隔离结构之间；在浮栅表面和隔离结构表面形成若干控制栅，各控制栅沿第二方向横跨若干浮栅，各控制栅沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布。垫层结构增加了有源层的沟道长度，改善了短沟道效应。
本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的若干相互分立的垫层结构，各所述垫层结构沿第二方向与第一方向阵列排布，所述第一方向垂直于第二方向； 位于所述衬底表面和垫层结构表面的有源层，所述有源层覆盖垫层结构的顶部和垫层结构沿第一方向的侧壁，所述有源层暴露垫层结构沿第二方向的侧壁，所述有源层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布； 隔离结构，在第二方向上位于相邻垫层结构之间，所述隔离结构的顶部表面高于或齐平于位于所述衬底表面的有源层的顶部表面； 若干相互分立的浮栅，各浮栅分别位于各垫层结构上的有源层表面，所述浮栅在第二方向上位于相邻隔离结构之间； 位于所述浮栅表面和隔离结构表面的若干控制栅，各所述控制栅沿第二方向横跨若干浮栅，各所述控制栅沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布。
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