中国科学院上海硅酸盐研究所钱荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311338576.4，技术领域涉及：H01J49/20；该发明授权一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置及其方法是由钱荣;何成根;曾旺;张越;刘安琦;盛成设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置及其方法，该装置包括：壳体，所述壳体为中空结构；盖体，适配盖设于所述壳体的开口处，所述盖体远离所述壳体的一侧设置有限位部；绝缘板，适配装设于所述壳体内，所述绝缘板沿高度方向设置有第一通孔和六个第二通孔，六个所述第二通孔均匀环绕于所述第一通孔的四周，所述第一通孔内适配装设有第一球形磁体，每个所述第二通孔内均适配装设有第二球形磁体；六个所述第二球形磁体的磁极方向相同，且均与所述绝缘板沿高度方向平行，所述第一球形磁体的磁极方向与所述第二球形磁体的磁极方向相反。本发明中，能够有效地改善溅射坑形状不平坦问题，在提高信号强度的基础上提高了深度分辨率。
本发明授权一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种调控辉光放电质谱深度溅射的磁场装置，其特征在于，包括： 壳体，所述壳体具有导电性，所述壳体为中空结构，其一端具有开口； 盖体，所述盖体具有导电性，所述盖体适配盖设于所述壳体的开口处，所述盖体远离所述壳体的一侧设置有限位部，所述限位部用于对样品进行限位； 绝缘板，适配装设于所述壳体内，所述绝缘板沿高度方向设置有第一通孔和六个第二通孔，六个所述第二通孔均匀环绕于所述第一通孔的四周，所述第一通孔内适配装设有第一球形磁体，所述第一球形磁体的直径小于所述第一通孔的深度，每个所述第二通孔内均适配装设有第二球形磁体，所述第二球形磁体的直径小于所述第二通孔的深度； 六个所述第二球形磁体的磁极方向相同，且均与所述绝缘板沿高度方向平行，所述第一球形磁体的磁极方向与所述第二球形磁体的磁极方向相反。
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