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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971107.0，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用是由赵自闯;蒋晨龙设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用。本发明提供的宽波长电吸收调制激光器芯片在衬底之上划分出多个特定区域，在这些区域上依次设置第一调制器层、第一前光栅层直至第二调制器层，且第一、第二调制器层注入磷离子。关键的取样光栅通过电子束直写方式置于第一前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功能层上方，依次堆叠包层与电接触层，功能层之间通过刻蚀设置电隔离沟，最上层为P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片利用同一个后取样光栅反射区，通过量子阱混杂技术集成双端调制，实现同一集成芯片双端出光，速率和波长调谐性能翻倍的效果，大大降低集成芯片的功耗。

本发明授权一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种宽波长电吸收调制激光器芯片，其特征在于，包括衬底、第一调制器层、第一前光栅层、第一增益层、第一相层、后光栅层、第二相层、第二增益层、第二前光栅层、第二调制器层、取样光栅、包层、电接触层、电隔离沟、P面电极和N面电极； 所述衬底上设置有第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相区、后光栅区、第二相区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，所述第一相区和第二相区分别设置在后光栅区的两侧，所述第一增益区和第二增益区分别设置在第一相区和第二相区远离后光栅区的一侧，所述第一前光栅区和第二前光栅区分别设置在第一增益区和第二增益区远离后光栅区的一侧，所述第一调制器区和第二调制器区分别设置在第一前光栅区和第二前光栅区远离后光栅区的一侧； 所述第一调制器层、第一前光栅层、第一增益层、第一相层、后光栅层、第二相层、第二增益层、第二前光栅层和第二调制器层分别设置在所述衬底上设置的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相区、后光栅区、第二相区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区上，且所述第一调制器层和第二调制器层内注入有磷离子； 所述取样光栅通过电子束直写的方式设置在所述第一前光栅层、后光栅层和第二前光栅层中； 所述包层与所述电接触层从下到上依次设置在各个功能层上方； 所述电隔离沟通过刻蚀的方式设置在各个功能层之间； 所述P面电极设置在各个功能层的上方； 所述N面电极设置在所述衬底的下方。

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