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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种死区时间电路和GaN驱动芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119853424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510144714.8，技术领域涉及：H02M1/38；该发明授权一种死区时间电路和GaN驱动芯片是由田仁宽;刘大伟;范建林;庄巍;王幸福;余璐洋;庞凯悦;王玺设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种死区时间电路和GaN驱动芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种死区时间电路和GaN驱动芯片，涉及功率管驱动电路技术领域。在一个功率管的驱动源信号由表示关断转变为表示导通时，电流产生模块对电容模块充电，充电达到阈值触发模块时方可使阈值触发模块的输出信号翻转，阈值触发模块的输出信号连接至功率管的栅极，充电至阈值的时间为死区时间。高侧功率管和低侧功率管的驱动信号翻转时，利用负载模块中的电感储能的作用，使电流产生模块产生电流。当负载模块中的电感变化时，电流产生模块产生的电流变化，进而改变了充电时间和死区时间，即死区时间可以随负载模块的电感变化而变化。

本发明授权一种死区时间电路和GaN驱动芯片在权利要求书中公布了：1.一种死区时间电路，其特征在于，应用于功率管电路，所述功率管电路包括母线、高侧功率管和低侧功率管，所述母线、所述高侧功率管、所述低侧功率管和地依次连接；所述高侧功率管和所述低侧功率管的连接点用于连接负载模块；所述负载模块包括电感； 所述死区时间电路包括自举模块、第一电流产生模块、第一信号中转模块、第一电容模块和第一阈值触发模块； 所述自举模块的第一端连接所述高侧功率管和所述低侧功率管的连接点，所述自举模块的第二端连接所述第一电流产生模块的正电源端，所述第一电流产生模块的负电源端接地；所述第一电流产生模块的电流输出端经过所述第一信号中转模块连接所述第一电容模块的第一端，所述第一电容模块的第二端接地； 所述第一信号中转模块的输入端用于连接所述高侧功率管的驱动信号源； 所述第一信号中转模块的输出端连接所述第一电容模块的第一端； 所述第一电容模块的第一端连接所述第一阈值触发模块的输入端； 所述第一阈值触发模块的输出端用于连接所述高侧功率管的栅极； 所述自举模块的第一端电压变高时，所述自举模块的第二端电压同时变高；所述自举模块的第二端电压变高时，所述第一电流产生模块产生的电流变大； 在所述高侧功率管的驱动信号源发出使所述高侧功率管导通的信号时，所述第一信号中转模块用所述第一电流产生模块产生的电流对所述第一电容模块充电；所述第一电容模块充电至电压达到所述第一阈值触发模块的阈值时，所述第一阈值触发模块的输出信号翻转； 在所述高侧功率管的驱动信号源发出使所述高侧功率管截止的信号时，所述第一信号中转模块使所述第一电容模块对地放电；所述第一电容模块放电至电压达到所述第一阈值触发模块的阈值时，所述第一阈值触发模块的输出信号翻转。

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