一道新能源科技股份有限公司张寻寻获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉一道新能源科技股份有限公司申请的专利一种IBC电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311371537.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种IBC电池及其制备方法是由张寻寻;孙亚楠;章康平;王建明;介雷;胥星星;周锦凤;黄晨茹设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IBC电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，硼掺杂后对P区进行激光氧化，可以形成更加致密、阻挡性能更强的硼硅玻璃层掩膜，不仅使得所制备的p型掺杂区域具有高表面浓度、高钝化性能、低接触电阻的优点，也避免了阻挡或刻蚀浆料印刷带来的污染问题，且制作精度及产能更高，适合大批量生产。
本发明授权一种IBC电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，包括： 在单晶硅片背面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层，并对所述第一多晶硅层进行硼掺杂； 对硼掺杂后的所述硅片进行链式酸洗； 对链式酸洗后所述硅片背面第一区域进行激光氧化处理，形成氧化层；所述第一区域用于形成p型掺杂区域； 对激光氧化处理后的所述硅片进行双面碱刻蚀处理； 在双面碱刻蚀处理的所述硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层，并对所述第二多晶硅层的进行磷掺杂； 去除磷掺杂后所述硅片背面第二区域以外的磷硅玻璃层，所述第二区域与第一区域叉指状间隔排列； 在去除所述第二区域以外的的磷硅玻璃层后，酸洗去除所述硅片正面的磷硅玻璃层，并对所述硅片进行刻蚀及制绒处理，暴露出叉指状间隔排列的n型掺杂区域和p型掺杂区域； 在进行刻蚀及制绒处理后，在硅片双面形成钝化膜层及减反射膜层，并在背面形成与所述p型掺杂区域导通的正极栅线、以及与所述n型掺杂区域导通的负极栅线，制得IBC电池。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人一道新能源科技股份有限公司，其通讯地址为：324022 浙江省衢州市百灵南路43号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励