北京科技大学魏俊俊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种转移生长高密度垂直碳纳米管-金刚石复合材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411862463.9，技术领域涉及：C23C16/01；该发明授权一种转移生长高密度垂直碳纳米管-金刚石复合材料的方法是由魏俊俊;冯旭瑞;杨鏊;刘宇晨;韦欣怡;张建军;陈良贤;刘金龙;李成明设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种转移生长高密度垂直碳纳米管-金刚石复合材料的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种转移生长高密度垂直碳纳米管‑金刚石复合材料的方法，属于功能材料与器件制造技术领域。所述方法包括：在Si衬底表面生长高密度的VCNT；在VCNT‑Si复合材料基底表面多次进行形核液涂覆；采用CVD技术，逐渐在VCNT‑Si表面生长出连续金刚石薄膜；利用VCNT在金刚石衬底上的附着力优于Si衬底上的附着性能，分离Si与VCNT‑金刚石复合材料；去除VCNT‑金刚石复合材料表面多余的金属催化剂，得到全碳的VCNT‑金刚石复合材料。本发明采用碳纳米管嵌入金刚石内部形式加固高密度VCNT与金刚石衔接，基于一维和三维碳制备出全碳型同素异构复合体。该方法适合大尺寸、高密度、高均匀、界面强衔接与高传热效率的超黑VCNT‑金刚石复合材料的制备，可用于高辐射、强磁场等极端环境。
本发明授权一种转移生长高密度垂直碳纳米管-金刚石复合材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种转移生长高密度垂直碳纳米管-金刚石复合材料的方法，其特征在于，所述方法包括： 在Si衬底表面生长高密度的VCNT； 在VCNT-Si复合材料基底表面多次进行形核液涂覆，所述形核液为含羟基的纳米金刚石-碳纳米管形核液； 采用CVD技术，逐渐在VCNT-Si表面生长出连续金刚石薄膜； 利用VCNT在金刚石衬底上的附着力优于Si衬底上的附着性能，分离Si与VCNT-金刚石复合材料； 去除VCNT-金刚石复合材料表面多余的金属催化剂，得到全碳的VCNT-金刚石复合材料。
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