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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利ETOX NOR型闪存器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510098164.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权ETOX NOR型闪存器件的制备方法是由杜怡行;王壮壮;姚春;顾林;王虎设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本ETOX NOR型闪存器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种ETOXNOR型闪存器件的制备方法，在存储区和外围逻辑区上旋涂第一旋涂碳层，以第一旋涂碳层作为外围逻辑区的掩模，通过一次回刻工艺，对存储区控制栅材料层进行第一次减薄；进一步的，在自对准源线离子注入之后，旋涂第二旋涂碳层，再次通过一次回刻工艺，以第二旋涂碳层作为外围逻辑区的掩模，对存储区控制栅材料层进行第二次减薄，从而得到最终的存储区控制栅，本申请提供的ETOXNOR型闪存器件的制备方法能够减小控制栅之间第一深沟槽和第二深沟槽的深宽比，增大层间绝缘介质层的填充窗口，同时也能节约生产成本。

本发明授权ETOX NOR型闪存器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ETOXNOR型闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，所述存储区的衬底表面依次形成有衬垫氧化层、浮栅材料层、ONO介质层和控制栅材料层，所述外围逻辑区的衬底表面依次形成有栅氧化层和控制栅材料层； 刻蚀所述存储区的控制栅材料层、ONO介质层、浮栅材料层和衬垫氧化层至衬底表面，以形成多个第一深沟槽和第二深沟槽，所述第一深沟槽和所述第二深沟槽交错排列； 形成第一旋涂碳层，所述第一旋涂碳层填充所述第一深沟槽和所述第二深沟槽，以及覆盖存储区的控制栅材料层和外围逻辑区的控制栅材料层； 通过回刻工艺，刻蚀一定厚度的所述第一旋涂碳层，同时，回刻所述存储区的第一厚度的控制栅材料层； 去除剩余厚度的所述第一旋涂碳层； 通过自对准注入工艺，在所述第一深沟槽底部的衬底中形成源线离子注入区； 形成第二旋涂碳层，所述第二旋涂碳层填充所述第一深沟槽和所述第二深沟槽，以及覆盖存储区的控制栅材料层和外围逻辑区的控制栅材料层； 通过回刻工艺，刻蚀一定厚度的所述第二旋涂碳层，同时，回刻所述存储区的第二厚度的控制栅材料层；以及 去除剩余厚度的所述第二旋涂碳层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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