华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司马开阳获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099365.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体器件的制备方法是由马开阳;高毅;左睿昊;周婧涵;郁淑婕设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法，首先在高压MOS器件区的衬底上形成第一栅氧化层，然后去除低压MOS器件区的第一栅氧化层并重新淀积第二栅氧化层，接着在低压MOS器件区、高压MOS器件区上形成多晶硅材料层，最后采用打开低压MOS器件区的第一栅氧化层的光罩，回刻低压MOS器件区的一定厚度的多晶硅材料层。本申请只需淀积一次多晶硅材料层，无需新光罩，直接采用回刻第一栅氧化层的光罩，便可以回刻低压MOS器件区的一定厚度的多晶硅材料层，以形成低压栅极，从而在高压MOS器件区和低压MOS器件区形成不同厚度的多晶硅材料层，避免了高压MOS器件较薄的栅极多晶硅被后续的LDD离子注入工艺误损伤的情况。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含闪存器件区、高压MOS器件区和低压MOS器件区，所述衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于隔离不同的器件区，所述闪存器件区的衬底上形成有闪存单元； 形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层覆盖所述高压MOS器件区的衬底和所述低压MOS器件区的衬底； 刻蚀去除所述低压MOS器件区的第一栅氧化层； 形成第二栅氧化层，所述第二栅氧化层覆盖所述低压MOS器件区的衬底； 形成多晶硅材料层，所述多晶硅材料层覆盖所述低压MOS器件区的第二栅氧化层、所述闪存器件区的闪存单元和所述高压MOS器件区的第一栅氧化层，以在所述高压MOS器件区形成高压栅极； 刻蚀所述低压MOS器件区的一定厚度的多晶硅材料层，以在所述低压MOS器件区形成低压栅极。
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