中芯国际集成电路制造(上海)有限公司宋春获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311396938.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构的形成方法是由宋春;刘良设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，对基底中第一区域表面的第一氧化层进行干法刻蚀的步骤中，容易产生聚合物杂质，通常聚合物杂质会附着在第一区域两侧堆叠栅结构的侧壁上，会使得第一区域两侧堆叠栅结构侧壁上的第一氧化层厚度大于第一区域表面的第一氧化层的厚度；清洗过程可以去除第一区域两侧堆叠栅结构侧壁的聚合物杂质，从而湿法刻蚀时聚合物杂质不容易对刻蚀溶液造成阻挡，当第一区域表面的第一氧化层被湿法刻蚀去除时，第一区域两侧堆叠栅结构侧壁的第一氧化层也被减薄，且减薄后还能够存留有部分厚度，有利于后续半导体工艺的顺利进行，使后续形成的半导体结构具有高性能和可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成多个堆叠栅组，相邻所述堆叠栅组之间为第一区域，所述堆叠栅组包括至少两个堆叠栅结构，且在垂直于所述堆叠栅结构的延伸方向上，所述堆叠栅结构间隔排布，在同一堆叠栅组中相邻堆叠栅结构之间的区域为第二区域； 在所述堆叠栅结构的侧壁和顶壁，以及所述基底的第一区域和第二区域上形成第一氧化层； 对所述基底中第一区域表面的所述第一氧化层进行干法刻蚀，去除部分厚度的所述第一氧化层； 所述干法刻蚀步骤后，对所述基底中第一区域表面以及第一区域两侧的所述堆叠栅结构侧壁进行清洗； 所述清洗步骤后，采用湿法刻蚀工艺去除所述基底中第一区域表面的剩余所述第一氧化层，与此同时所述第一区域两侧堆叠栅结构侧壁上的第一氧化层被减薄并保留部分厚度。
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