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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119902045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059417.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法是由李天信;庄远远;程悦;辛蕊;毛飞宇;夏辉设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法在说明书摘要公布了：一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法。步骤是：A对半导体材料或器件进行预先处理，形成经过待评测功能区的截面，且截面具有纳米级的平整度，制备与半导体材料形成欧姆接触的公共电极；B在无光照条件下，用扫描探针显微镜的电学测量模式测量待测试样内部功能区的电学分布；C选择合适波长光源照射半导体材料或器件，测量待测试样内部功能区在光照条件下的电学分布；D对测量获得的无光照和有光照条件下的电学分布进行比较、处理和解析。该方法具有纳米级空间分辨率和高灵敏度，能直接获得半导体材料和器件内部核心功能区的光电特性，用于准确定位影响其性能的部位，并量化局部的光电特性，从而指导对其性能的分析、预测和优化。

本发明授权一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法在权利要求书中公布了：1.一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法，其特征在于：它步骤如下： A、对半导体材料或器件即待测试样进行预先处理，形成经过待评测功能区的截面，且截面具有纳米级的平整度，制备与半导体材料形成欧姆接触的公共电极； B、在无光照的条件下，使用扫描探针显微镜的电学测量模式测量待测试样内部功能区的电学分布； C、选择合适波长的光源照射半导体材料或器件，测量待测试样内部功能区在光照条件下的电学分布； D、对测量获得的无光照和有光照条件下的电学分布进行比较、处理和解析； 步骤A、B中测量待测试样的电学分布，包括使用扫描探针显微镜，其中电学测量模式包括导电原子力显微模式或扫描电容显微模式； 步骤B中所述的无光照测量条件需要移动扫描探针显微镜中探针悬背梁上的光斑至距离针尖前端至少90微米处，确保半导体材料或器件的功能区不受到该光斑的激发； 步骤C中所述的选择合适波长的光源照射半导体材料或器件，其中光源波长的选择是使照射光子的能量大于待测定功能区域半导体材料禁带宽度，对于不同半导体材料的功能区域选择不同波长的光源分别照射试样，重复步骤C进行测量； 步骤D中对测量获得的电学分布结果进行比较、处理和解析包括对有无光照条件下的电学分布进行差值处理，以获得功能区的净光电信号分布，它是半导体材料或器件功能区光电效率在纳米尺度上的反映；或进一步将功能区的光电信号分布相对位置进行数值微分，以获得半导体材料器件内部光电特征的梯度信息，它反映了功能区的内建电场作用于光生载流子的效能。

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