买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510091365.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺是由袁俊设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺，芯片包括至少一个元胞结构单元，该元胞结构单元包括衬底、宽禁带薄层材料制成的横向集成的高耐压层、硅薄膜层、连接在硅薄膜层上的硅CMOS逻辑及开关控制单元、第一多层介质层，横向集成的高耐压层和硅薄膜层竖向设置；P+掩埋层和P‑Top层分居高耐压结构区上下两侧，横向集成的高耐压层和硅薄膜层之间通过界面键合介质层连接；硅CMOS逻辑及开关控制单元包括硅开关控制单元和硅CMOS低压逻辑单元，硅开关控制单元设于高压功率管上管臂1区，硅CMOS低压逻辑单元设于高压功率管下管臂1区。本发明能优化高压集成芯片架构，实现更低的芯片面积和工艺成本。

本发明授权一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片，其特征在于，为高压BCD芯片； 所述芯片包括至少一个元胞结构单元，该元胞结构单元包括衬底1、宽禁带薄层材料制成的横向集成的高耐压层2、硅薄膜层3、连接在硅薄膜层3上的硅CMOS逻辑及开关控制单元、第一多层介质层4，所述横向集成的高耐压层2和硅薄膜层3竖向设置； 所述横向集成的高耐压层2包括宽禁带薄层材料制成的横向集成的高耐压结构区201、P+掩埋层202和P-Top层203，所述P+掩埋层202和P-Top层203分居横向集成的高耐压结构区201上下两侧，所述横向集成的高耐压层2和硅薄膜层3之间通过界面键合介质层8连接； 所述硅薄膜层3被填充有多层介质层的第一隔离沟槽301、第二隔离沟槽302分隔成高压功率管上管臂1区303、高压功率管下管臂1区304、高压功率管其他管臂区305； 所述硅CMOS逻辑及开关控制单元包括硅开关控制单元6和硅CMOS低压逻辑单元7，所述硅开关控制单元6设于高压功率管上管臂1区303，所述硅CMOS低压逻辑单元7设于高压功率管下管臂1区304； 所述硅CMOS逻辑及开关控制单元周边采用把硅薄膜层3部分或完全刻蚀形成包围的隔离沟槽并填充第一多层介质层4的方式隔离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。