长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072290.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由唐怡;谈亚丽;李辉辉设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中半导体结构中包括多个沟道层，位线和电容器可以分别电连接于沟道层两端的源端和漏端。沟道层中设置有单晶材料，能够有效减少多晶沟道中的高散射导致的泄露问题，保证沟道层的导通性能。并且，多个沟道层在与衬底的表面相交的第一方向上层叠设置，能够更为充分地利用衬底上方的空间，从而实现沟道层在与衬底表面相交的方向上的叠置，显著提高沟道层的堆叠密度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 在衬底上制备多层支撑层以及多层前体层，所述支撑层和所述前体层沿着第一方向交替层叠设置，其中，所述前体层包括在第二方向上连接的连接部和多个间隔部，所述连接部沿第三方向延伸，多个所述间隔部沿所述第三方向间隔； 去除所述连接部以形成位线容置区，去除远离所述连接部的部分所述间隔部以形成电容器容置区； 对剩余的所述间隔部的一侧表面进行非晶化处理，形成非晶部； 制备与所述非晶部相接触的晶化诱导层并进行热处理，以使得所述前体层转化为单晶材料，并形成沟道层，所述沟道层具有源端和漏端； 在所述位线容置区形成位线，所述位线沿第三方向延伸； 在所述电容器容置区形成电容器，所述位线与所述电容器分别电连接于所述源端和所述漏端； 形成字线，所述字线沿所述第一方向延伸，所述字线用于控制所述沟道层，所述第一方向垂直于所述衬底的表面，所述第二方向和所述第三方向所确定的平面平行于衬底表面。
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