无锡尚积半导体科技股份有限公司张陈斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510069591.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法是由张陈斌;张超;葛青涛;蔡三勇;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法，包括以下步骤：步骤S1，预溅射：选用靶材，调整所述靶材与晶圆之间的距离，设置基底温度为预设温度，腔体真空度为预设真空度，在预设功率下，预溅射靶材；步骤S2，溅射薄膜半成品，将晶圆传输至磁控溅射真空腔体中，向磁控溅射腔体中通入氩气和氧气，设置腔体反应压力和靶材的输入功率，溅射后得到溅射薄膜半成品；步骤S3，溅射后处理，通过电子枪向磁控溅射腔体中喷射电子束，向磁控溅射腔体中继续通入氩气和氧气，设置腔体反应压力和靶材的输入功率，得到溅射薄膜。本发明实施例制备的氧化钒薄膜的表面平整度高，在22～30℃时的平均电阻温度系数高达‑2.652%以上。
本发明授权一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化钒薄膜的物理气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，预溅射：选用靶材，调整所述靶材与晶圆之间的距离，设置基底温度为预设温度，腔体真空度为预设真空度，在预设功率下，预溅射靶材； 步骤S2，溅射薄膜半成品：向磁控溅射腔体中通入氩气和氧气，氧气的流量为1.0～5sccm、氩气流量为15～30sccm，设置腔体反应压力和靶材的输入功率，溅射后得到溅射薄膜半成品； 步骤S3，溅射后处理：通过电子枪向磁控溅射腔体中喷射电子束，所述电子枪的电压为0.5～1.5KV、电流为5～15A，同时，向磁控溅射腔体中继续通入氩气和氧气，氧气的流量为10～50sccm、氩气流量为1～10sccm，设置腔体反应压力和靶材的输入功率，得到溅射薄膜； 步骤S3中所述氧气的流量大于步骤S2中所述氧气的流量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡尚积半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励