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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068721.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片是由赵强;万能;张升钺;郝礼才;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片在说明书摘要公布了：本发明属于模拟电路领域，具体涉及一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片。该方案包括：基准电压产生电路、脉宽加固电路和输出电路。其中，脉宽加固电路包括连接在基准电压产生电路中的关键节点上的两级反相器和传输管；该电路可以通过电荷耗散原理加速恢复由单粒子瞬态效应导致的基准电压产生电路的异常状态，并作为基准电压产生电路的启动电路。输出电路连接在基准电压产生电路的输出节点上，并通过施密特触发器或比较器等器件检测基准电压产生电路产生的输出信号的脉冲幅度，进而切断输出的带隙基准电压信号中超过安全阈值的部分。本发明解决了现有带隙基准电路的输出稳定性受单粒子瞬态效应影响较大，难以辐射环境下正常工作的问题。

本发明授权一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路，其特征在于，其包括： 基准电压产生电路，其由PMOS管P1~P6、NMOS管N1~N4、电阻R1~R6、PNP三极管Q1、Q2构成；其中，N1~N4、P1~P4、R4、R5构成Cascode电流镜结构；P3、P4、P6的源极接VDD；P3的漏极与P1的源极相连，连接点记为节点A；P4的漏极与P2的源极相连，连接点记为节点B；P1的漏极与N3、N4的栅极以及R4的一端连接，连接点记为C；P3、P4、P6的栅极与P2的漏极以及R5的一端连接，连接点记为节点D；R4的另一端连接N3的漏极以及N1、N2的栅极，连接点记为E；R5的另一端连接P1、P2、P5的栅极以及N4的漏极，连接点记为节点F；N3的源极与N1的漏极相连，连接点记为G；N4的源极与N2的漏极相连，连接点记为H；P6的漏极接P5的源极，连接点记为I；P5的漏极通过R6的一端相连，连接点记为节点J；N1的源极与Q1的发射极以及R1的一端相连；N2的源极与R2、R3的一端相连；R3的另一端接Q2的发射极；R1、R2、R6的另一端与Q1的集电极和基极以及Q2的集电极和基极均接地； 脉宽加固电路，其用于通过电荷耗散原理加速恢复由单粒子瞬态效应导致的基准电压产生电路的异常状态，并作为基准电压产生电路的启动电路；脉宽加固电路由PMOS管P7~P10、P12~P15，NMOS管N5、N7~N10，以及三极管Q3构成；其中，P8的栅极接节点D，P8的漏极与P7的源极相连；P7的栅极接节点F；P7的漏极与N5的漏极相连；N5的栅极接节点E；N5、N7~N10的源极与Q3的发射极相连，连接点记为节点K；Q3的基极和集电极接地；P8~P10、P12~P15的源极接VDD；P12、N7的漏极与P13、N8的栅极相连；P13、N8的漏极与P9的栅极相连；P12、N7的栅极与P9的漏极接节点C；P14、N9的漏极与P15、N10的栅极相连；P15、N10的漏极与P10的栅极相连；P14、N9的栅极与P10的漏极接节点E； 输出电路，其连接在基准电压产生电路的输出节点J上，并用于通过输出端口Vout输出所需的带隙基准电压；所述输出电路包括输出单元、正向脉冲检测单元和负向脉冲检测单元；所述输出单元包括PMOS管N6和NMOS管N11，N6的漏极接节点J，N6和P11源极相连，P11的漏极接输出端口Vout；所述正向脉冲检测单元连接在N6的栅极和节点J之间，并用于在基准电压产生电路中J节点的输出信号超过预设的安全阈值时将N6关断；所述负向脉冲检测单元连接在P11的栅极和节点J之间，并用于在基准电压产生电路中J节点的输出信号超过预设的安全阈值时将P11关断。

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