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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510053807.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法是由陈苗;彭峰;宁威;文浩然设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法，先形成PN结导通回路、与PN结导通回路一端相连的第一导电插塞、中间金属层和第三导电插塞、以及与PN结导通回路另一端相连的第二导电插塞、中间金属层和第四导电插塞，随后获取半导体器件的缺陷图，最后根据缺陷图，获取接触孔的接触情况和填充情况，并根据接触情况和填充情况来诊断是否存在卤族元素残留，是否对半导体器件造成污染。本申请通过PN结导通回路与接触孔中的导电插塞配合，根据缺陷图诊断接触孔的接触情况和填充情况，从而实时、有效地监控卤族元素的残留情况，这样可以对芯片质量作出直接反应，对卤族元素微量变化做出敏锐反馈。

本发明授权监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法在权利要求书中公布了：1.一种监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上形成一半导体结构，所述半导体结构中形成有PN结导通回路、与所述PN结导通回路一端相连的第一导电插塞、与所述PN结导通回路另一端相连的第二导电插塞以及覆盖所述第一导电插塞、所述第二导电插塞的第一绝缘介质层；其中，所述第一绝缘介质层中形成有多个沟槽，所述沟槽分别露出所述第一导电插塞顶端和所述第二导电插塞顶端； 形成中间金属层，所述中间金属层填充所述沟槽； 形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层覆盖所述第一绝缘介质层和所述中间金属层； 刻蚀所述第二绝缘介质层，以在所述第二绝缘介质层中形成呈阵列式排布的多个接触孔； 在所述接触孔中填充金属材料层，以形成第三导电插塞和第四导电插塞，其中，通过所述中间金属层，所述第三导电插塞和所述第一导电插塞相连、所述第四导电插塞和所述第二导电插塞相连； 通过研磨工艺去除所述第二绝缘介质层表面的所述金属材料层； 通过电子束扫描机台扫描执行所述研磨工艺之后的半导体器件，获取所述半导体器件的第一缺陷图； 通过表面缺陷检测机台扫描执行所述研磨工艺之后的半导体器件，获取所述半导体器件的第二缺陷图； 根据所述第一缺陷图，获取所述接触孔中的所述金属材料层与底部所述中间金属层的接触情况，若所述接触孔中的所述金属材料层与底部所述中间金属层的接触异常，则诊断接触孔底部被残留卤族元素污染； 根据所述第二缺陷图，获取所述接触孔中的所述金属材料层的填充情况，若所述接触孔中的所述金属材料层的填充异常，则诊断半导体器件表面被卤族元素污染。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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