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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种振荡器环路相位噪声抑制结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119945327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510016015.5，技术领域涉及：H03B5/04；该发明授权一种振荡器环路相位噪声抑制结构及方法是由陆泽晃;刘洪力;钟恩才;张洁;邓科设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种振荡器环路相位噪声抑制结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种振荡器环路相位噪声抑制结构及方法，涉及微波信号源技术领域，包括：低1f相噪的放大器；第一耦合器输入端与低1f相噪的放大器的输出端连接，直通口连接有双平衡混频器的LO端；振荡器的放大器输入端与第一耦合器的耦合输出端连接；压控移相器一端与振荡器的放大器连接，另一端与第二耦合器输入端连接；第二耦合器的功率口与双平衡混频器的RF端相接；双平衡混频器的IF端经过积分器PI后连接到压控移相器的VCP的工作电压端口；通过将低1f相位噪声的放大器与高增益放大器进行组合，可以有很高的增益并且具有超低的相位噪声。

本发明授权一种振荡器环路相位噪声抑制结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种振荡器环路相位噪声抑制方法，应用于振荡器环路相位噪声抑制结构，其特征在于，所述振荡器环路相位噪声抑制结构包括： 低1f相噪的放大器，其输入端用于接收功率信号； 第一耦合器，其输入端与所述低1f相噪的放大器的输出端连接；所述第一耦合器的直通口连接有双平衡混频器的LO端，其输出端与振荡器的放大器的输入端连接； 压控移相器，其输入端与所述振荡器的放大器的输出端连接； 第二耦合器，其输入端与所述压控移相器的输出端连接，所述第二耦合器的输出端用于功率信号的输出；所述第二耦合器的耦合端口与所述双平衡混频器的RF端相接； 所述振荡器环路相位噪声抑制方法，包括以下步骤： 采用低1f相噪的放大器放大输入功率信号； 将经过放大后的功率信号输入双平衡混频器的LO端口；同时使用第一耦合器将功率信号进行耦合，将耦合出来的功率信号输入振荡器的放大器进行放大； 将放大后的功率信号使用第二耦合器进行耦合，将耦合出的功率信号输入双平衡混频器的RF端口； 通过调节压控移相器的相位，使得输入功率信号后的双平衡混频器LO端和RF端的相位正交，通过双平衡混频器的IF端口探测到电压信号；其中，该电压信号正比于振荡器的放大器的残余相位噪声； 将该电压信号经过一个比例积分器后反馈给压控移相器的偏置电压，实现对振荡器的放大器低频段1f噪声的补偿。

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