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龙图腾网获悉华虹半导体制造(无锡)有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利MIM电容结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101098.8，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权MIM电容结构及其制备方法是由李屹然;高国磊;禹楼飞设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本MIM电容结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种MIM电容结构及其制备方法，在制备方法中，首先在第一绝缘层中形成沟槽，然后在沟槽内进行第二金属层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层、第N金属层、第N绝缘层和第N+1金属层的叠层，其中，N为大于或者等于4的整数，接着在沟槽顶端的第N+1金属层淀积顶层介质层，接着形成第一至第N导电插塞，最后通过顶层的图案化的金属层实现沟槽底部、沟槽内的多路MIM电容的并联，从而形成至少两路并联的沟槽型MIM电容结构，相比传统的平板MIM电容，本申请制备的MIM电容结构不仅是沟槽型电容结构，还是并联的电容结构，从而可以有效提升单位面积内的电容密度。

本发明授权MIM电容结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一半导体结构，所述半导体结构的顶层为第一金属层； 形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层； 刻蚀所述第一绝缘层至所述第一金属层表面，以形成沟槽； 形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述沟槽的侧壁和底壁以及所述第一绝缘层； 形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层； 形成第三金属层，所述第三金属层覆盖所述第二绝缘层； 形成第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第三金属层； 形成第N金属层，所述第N金属层覆盖所述第三绝缘层，其中，N为大于或者等于4的整数； 形成第N绝缘层，所述第N绝缘层覆盖所述第N金属层； 形成第N+1金属层，所述第N+1金属层覆盖所述第N绝缘层并且填充所述沟槽的剩余空间； 研磨去除超出所述第一绝缘层表面的第二金属层至第N+1金属层，以及第二绝缘层至第N绝缘层； 形成顶层介质层，所述顶层介质层覆盖第二金属层至第N+1金属层，以及第一绝缘层至第N绝缘层； 形成第一导电插塞、第二导电插塞至第N导电插塞，所述第一导电插塞贯穿所述顶层介质层和所述第一绝缘层并且与所述第一金属层连接，所述第二导电插塞贯穿所述顶层介质层并且与所述第三金属层连接，所述第N导电插塞贯穿所述顶层介质层并且与所述第N+1金属层连接； 形成图案化的金属层，所述图案化的金属层分别覆盖所述第一导电插塞、所述第二导电插塞至所述第N导电插塞，以形成至少两路并联的MIM电容结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体制造(无锡)有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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