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广州华星光电半导体显示技术有限公司肖军城获国家专利权

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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法以及显示设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119947244B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510122898.8,技术领域涉及:H10D86/01;该发明授权显示面板及其制备方法以及显示设备是由肖军城;李珊;徐源竣;闫晓林;张晓星设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

显示面板及其制备方法以及显示设备在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法以及显示设备,其中,层间介质层覆盖第一有源部和第一栅极远离基板的一侧,层间介质层开设有第一接触孔和第二接触孔,第一接触孔的深度小于第二接触孔的深度,第一接触孔暴露第一有源部,第二接触孔暴露遮光部;第一接触孔包括第一上孔和第一下孔;第二接触孔包括第二上孔和第二下孔,第二上孔的深度等于第一上孔的深度,第二下孔的深度大于第一下孔的深度。本申请实施例采用同一道光罩对层间介质层进行刻蚀形成暴露第一有源部的第一接触孔和暴露遮光部的第二接触孔,以节省光罩,且第一接触孔的第一下孔贯穿第一有源部的部分,以降低第一有源部被刻蚀的程度。

本发明授权显示面板及其制备方法以及显示设备在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 基板; 遮光部,设置在所述基板上; 缓冲层,设置在所述遮光部远离所述基板的一侧; 第一有源部,设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧; 第一栅极,与所述第一有源部异层设置; 层间介质层,覆盖所述第一有源部和所述第一栅极远离所述基板的一侧,所述层间介质层开设有第一接触孔和第二接触孔,所述第一接触孔的深度小于所述第二接触孔的深度,所述第一接触孔贯穿所述层间介质层且暴露所述第一有源部,所述第二接触孔贯穿所述层间介质层和所述缓冲层且暴露所述遮光部;以及 其中,所述第一接触孔包括第一上孔和第一下孔,所述第一下孔贯穿所述层间介质层的部分和所述第一有源部的部分,所述第一上孔连通于所述第一下孔远离所述基板的一侧,所述第一下孔的开口宽度小于所述第一上孔的开口宽度; 所述第二接触孔包括第二上孔和第二下孔,所述第二下孔贯穿所述层间介质层的部分和所述缓冲层,所述第二上孔连通于所述第二下孔远离所述基板的一侧,所述第二下孔的开口宽度小于所述第二上孔的开口宽度,所述第二上孔的深度等于所述第一上孔的深度,所述第二下孔的深度大于所述第一下孔的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司,其通讯地址为:510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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