买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利具有SCR结构的ESD保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947262B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510054062.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有SCR结构的ESD保护器件是由范炜盛设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有SCR结构的ESD保护器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有SCR结构的ESD保护器件，在该ESD保护器件中，通过在阱区一的两侧边缘和衬底之间分别引入浮空重掺杂区一和浮空重掺杂区二，以及在阱区二的内侧边缘和衬底之间分别引入浮空重掺杂区三和浮空重掺杂区四，其中，浮空重掺杂区一、浮空重掺杂区三以及连接电源阴极的第一硅化物阻挡层形成寄生的二极管，同理，浮空重掺杂区二、浮空重掺杂区四以及连接电源阴极的第二硅化物阻挡层形成寄生的二极管，其中，引入的浮空重掺杂区三、四分别为寄生PNP三极管基极的一部分；浮空重掺杂区一、二分别为NPN三极管基极的一部分，导致其基极重掺杂，可以降低BJT双极性晶体管的共射极放大系数β，从而有效提高SCR结构的维持电压。

本发明授权具有SCR结构的ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.一种具有SCR结构的ESD保护器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一导电类型的阱区一，所述阱区一位于所述衬底中； 第二导电类型的阱区二，所述阱区二位于所述衬底中并且环绕所述阱区一设置； 第一导电类型的内部重掺杂区一、内部重掺杂区二和内部重掺杂区三，所述内部重掺杂区一位于所述阱区一中，所述内部重掺杂区二和所述内部重掺杂区三位于所述内部重掺杂区一的两侧并且均位于所述阱区二中； 第二导电类型的内部重掺杂区四、内部重掺杂区五和内部重掺杂区六，所述内部重掺杂区四和所述内部重掺杂区五位于所述内部重掺杂区一的两侧并且均位于所述阱区一中，所述内部重掺杂区六位于所述阱区二中并且环绕所述内部重掺杂区二和所述内部重掺杂区三设置； 第一导电类型的浮空重掺杂区一和浮空重掺杂区二，所述浮空重掺杂区一位于远离所述内部重掺杂区一的所述内部重掺杂区四侧，所述浮空重掺杂区一横跨所述阱区一的左侧边缘和所述衬底；所述浮空重掺杂区二位于远离所述内部重掺杂区一的所述内部重掺杂区五侧，所述浮空重掺杂区二横跨所述阱区一的右侧边缘和所述衬底； 第二导电类型的浮空重掺杂区三和浮空重掺杂区四，所述浮空重掺杂区三位于远离所述内部重掺杂区六的所述内部重掺杂区二侧，所述浮空重掺杂区三横跨所述阱区二的内侧边缘和所述衬底；所述浮空重掺杂区四位于远离所述内部重掺杂区六的所述内部重掺杂区三侧，所述浮空重掺杂区四横跨所述阱区二的内侧边缘和所述衬底； 多个浅沟槽隔离结构，部分所述浅沟槽隔离结构位于所述阱区一中，分别用于隔离不同的内部重掺杂区和或浮空重掺杂区；剩余所述浅沟槽隔离结构位于所述阱区二中，分别用于隔离不同的内部重掺杂区和或浮空重掺杂区； 第一硅化物阻挡层，所述第一硅化物阻挡层覆盖所述浮空重掺杂区一和浮空重掺杂区三之间的所述衬底； 第二硅化物阻挡层，所述第二硅化物阻挡层覆盖所述浮空重掺杂区二和浮空重掺杂区四之间的所述衬底； 其中，所述内部重掺杂区二、所述内部重掺杂区三和所述内部重掺杂区六均连接至外部电源的阳极；所述内部重掺杂区一、所述内部重掺杂区四、所述内部重掺杂区五、所述第一硅化物阻挡层和所述第二硅化物阻挡层均连接至外部电源的阴极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。