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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利ESD防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510061491.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权ESD防护器件是由范炜盛设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本ESD防护器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种ESD防护器件，本申请在同一块有源区域制备ESD器件的功能区域，具体的，本申请通过在同一块有源区中设置内部阱区一或环形阱区NW内部阱区二PW外围重掺杂区N+内部重掺杂区P+，为防止先进工艺中的金属硅化物导致阳极High和阴极Low间短路，采用金属硅化物阻挡层隔离，防止阳极和阴极之间形成金属硅化物。本申请提供的ESD防护器件中，泄放ESD电流的路径上没有设置浅沟槽隔离结构，即ESD电流无需像传统ESD器件绕过浅沟槽隔离结构，使得ESD电流具有更短的电流路径，即，使得器件的导通电阻更小，ESD防护的有效区域更广，从而可以充分发挥具有PNP结构ESD防护器件的性能。

本发明授权ESD防护器件在权利要求书中公布了：1.一种ESD防护器件，其特征在于，包括： 衬底； 至少一个第一导电类型的内部阱区一，所述内部阱区一间隔位于所述衬底中； 多个第二导电类型的内部阱区二，所述内部阱区二间隔位于所述衬底中并且位于所述内部阱区一的外围； 第一导电类型的环形阱区，所述环形阱区位于所述衬底中并且环绕所述内部阱区二； 第二导电类型的衬底引出阱区，所述衬底引出阱区位于所述衬底中并且环绕所述环形阱区； 多个第二导电类型的内部重掺杂区，所述内部重掺杂区位于所述内部阱区一、所述内部阱区二以及所述环形阱区中； 第一导电类型的外围重掺杂区，所述外围重掺杂区位于所述环形阱区中，所述外围重掺杂区环绕所述环形阱区中的所述内部重掺杂区设置并且与所述环形阱区中的所述内部重掺杂区保持间隔； 第二导电类型的衬底引出重掺杂区，所述衬底引出重掺杂区位于所述衬底引出阱区中； 多个浅沟槽隔离结构，至少一所述浅沟槽隔离结构位于所述环形阱区中并且位于所述外围重掺杂区和所述环形阱区中的所述内部重掺杂区之间，至少一所述浅沟槽隔离结构位于所述外围重掺杂区和所述衬底引出重掺杂区之间； 金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖所有的所述内部重掺杂区之间的所述衬底、所述环形阱区、所述内部阱区一和所述内部阱区二的表面； 其中，所述外围重掺杂区、所述环形阱区中的所述内部重掺杂区和所述内部阱区一中的所述内部重掺杂区连接外部电源的阳极，所述内部阱区二中的所述内部重掺杂区和所述衬底引出重掺杂区连接外部电源的阴极，其中，在衬底中的泄放ESD电流的路径上不设置浅沟槽隔离结构。

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