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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种高熵晶体/非晶的纳米金属多层膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510236495.6，技术领域涉及：C23C14/14；该发明授权一种高熵晶体/非晶的纳米金属多层膜及其制备方法是由王亚强;孟轩胜;张金钰;吴凯;刘刚;孙军设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵晶体/非晶的纳米金属多层膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高熵晶体非晶的纳米金属多层膜及其制备方法，属于纳米金属多层膜涂层材料领域，该纳米金属多层膜包括交替层叠设置的TaWMoCrZr层和CrMoY层；所述TaWMoCrZr层的厚度为5‑100nm，CrMoY层的厚度为1.25‑25nm；所述TaWMoCrZr层为纳米晶形态，CrMoY层为非晶形态；该纳米金属多层膜采用磁控溅射方法进行制备，通过控制溅射时间来调控组元层层厚，制备得到的TaWMoCrZrCrMoY涂层为纳米多层结构，层界面清晰平直，成分均匀，组织致密，力学性能优异，且通过混合焓设计，实现自调控成分偏聚，具有良好的热稳定性，扩展了多层膜涂层的应用范围。

本发明授权一种高熵晶体/非晶的纳米金属多层膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵晶体非晶的纳米金属多层膜，其特征在于，包括交替层叠设置的TaWMoCrZr层和CrMoY层； 所述TaWMoCrZr层的厚度为5-100nm，CrMoY层的厚度为1.25-25nm； 所述TaWMoCrZr层为纳米晶形态，CrMoY层为非晶形态； 所述TaWMoCrZr层中，Ta、W、Mo、Cr四种元素原子百分数之比为1:1:1:1，Zr元素的原子百分数为16.8at.％； 所述一种高熵晶体非晶的纳米金属多层膜的制备方法，包括以下步骤： 步骤1，对基体表面清洗并烘干； 步骤2，将步骤1清洗后的基体进行真空刻蚀； 步骤3，采用TaWMoCr合金靶和Zr靶的组合靶，以及CrMoY合金靶在基体上交替磁控溅射沉积TaWMoCrZr晶体层和CrMoY层，得到纳米金属多层膜； 在磁控溅射过程中，TaWMoCr合金靶的直流功率为200W，所述Zr靶的射频功率为100W，CrMoY合金靶的直流功率为200W，沉积的总时间为7496～9664秒； 所述交替磁控溅射沉积TaWMoCrZr晶体层和CrMoY非晶层的方法如下： 首先，采用TaWMoCr合金靶和Zr靶的组合靶在基体上溅射沉积TaWMoCrZr晶体层； 然后，采用CrMoY合金靶溅射沉积CrMoY非晶层； 重复上述过程，采用组合靶和CrMoY合金靶交替沉积TaWMoCrZr晶体层和CrMoY非晶层，直至达到预设调制周期和预设厚度，得到纳米金属多层膜； 步骤4：将纳米金属多层膜随炉冷却至室温，得到高熵晶体非晶的纳米金属多层膜。

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