安徽大学陈学刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891213.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法是由陈学刚;蔡胜豪;刘道龙;石家赢;吴鑫原设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法，涉及新型功能材料加工技术领域，包括以下步骤：S1、通过陶瓷烧结工艺制备NiCo2O4靶材和Co3O4靶材；S2、通过磁控溅射的方法在MgAl2O4001单晶衬底上沉积NiCo2O4Co3O4薄膜；S3、测量生长的NiCo2O4Co3O4薄膜的反常霍尔效应；其技术要点为：能够克服传统氧化物硬磁材料的局限性，通过采用射频磁控溅射的制备工艺，采用NiCo2O4和Co3O4靶材，制备出NiCo2O4Co3O4薄膜，所得薄膜具有380K的居里温度，并且具有优秀的导电性，具有良好的使用前景。
本发明授权一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过陶瓷烧结工艺制备NiCo2O4靶材和Co3O4靶材； S2、通过磁控溅射的方法在MgAl2O4001单晶衬底上沉积NiCo2O4Co3O4薄膜，具体为通过磁控溅射的方法，先在MgAl2O4001单晶衬底上采用Co3O4靶材沉积薄膜，然后在Co3O4薄膜上采用NiCo2O4靶材沉积薄膜，得到NiCo2O4Co3O4薄膜； S3、测量生长的NiCo2O4Co3O4薄膜的反常霍尔效应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：231200 安徽省合肥市肥西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励