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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510069491.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路是由丁恺浚;孔谋夫设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路的静电放电ESD和电过应力EOS脉冲防护领域，具体提供一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路，用以解决传统高压ESDEOS防护方案中易闩锁、触发电压高、鲁棒性差以及开启速度慢等问题。本发明通过技术性嵌入SCR结构、齐纳结构和LDMOS结构，整合齐纳二极管的电压钳位能力、LDMOS的高耐压能力、复合晶体管的快速响应特性以及SCR的强泄流能力，实现了静电与浪涌一体化防护效能，在ESDEOS电应力作用下，本发明中复合结构在正反馈作用下促进齐纳结构、SCR结构和LDMOS结构有序开启，从而满足不同脉冲频率的ESD与EOS防护需求，不仅显著降低了回滞效应和触发电压，还有效避免了闩锁现象。

本发明授权一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路在权利要求书中公布了：1.一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路，其特征在于，所述静电浪涌一体化防护电路设置于同一P型硅衬底100上； 所述P型硅衬底100上从左到右依次设有第一P型外延层101、N型埋层102、第二P型外延层103； 所述第一P型外延层101上设有第一深P阱104，所述N型埋层102上设有深N阱105，所述第二P型外延层103的上设有第二深P阱106； 所述第一深P阱104区域内设有第一P阱111，所述第一P阱111区域内设有第一P+注入区113；所述深N阱105区域内从左到右依次设有第一N阱107、第二P阱108、第二N阱109，所述第二P阱108区域内设有PB掺杂层110；所述第一N阱107区域内设有第一N+注入区115；所述第二P阱108区域内从左到右依次设有第二P+注入区116、第二N+注入区117、第三N+注入区118、第三P+注入区119，且第三N+注入区118位于PB掺杂层110内；所述第二N阱109区域内从左到右依次设有第四P+注入区120、第四N+注入区121；所述第二深P阱106区域内设有第三P阱112，所述第三P阱112区域内设有第五P+注入区114； 所述第三P+注入区119与所述第四P+注入区120之间设有多晶硅栅氧层122，且多晶硅栅氧层122跨接设置于所述第二P阱108与所述第二N阱109表面； 所述第一P+注入区113、第五P+注入区114、第二P+注入区116、第二N+注入区117、第三P+注入区119均与静电浪涌一体化防护电路的阴极相连，所述第一N+注入区115、第三N+注入区118、第四P+注入区120、第四N+注入区121、多晶硅栅氧层122均与静电浪涌一体化防护电路的相连； 所述静电浪涌一体化防护电路中，所述第二N阱109的寄生电阻形成第一电阻R1，所述第二P阱108的寄生电阻形成第二电阻R2，所述第二N阱109、第二P阱108和第二N+注入区117构成NPN晶体管Tn1，所述第四P+注入区120、第二N阱109和第二P阱108构成PNP晶体管Tp1，所述第四P+注入区120、多晶硅栅氧层122、第二N阱109、第二P阱108和第三P+注入区119构成LDMOS功率管M1；所述第二N+注入区117、PB掺杂层110和第二P阱108构成齐纳管ZD。

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