南京工业大学张军然获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510193090.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法是由张军然;王琳;毛子龙;陈留沣;史义永设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法，通过栅压调控新型二维材料NbOI2晶体管实现优异的X射线探测性能的方法，属于光电信息领域。基于二维半导体NbOI2纳米片制备晶体管器件，利用其重原子对X射线优异的吸收特性，通过对晶体管施加栅压，实现优异的X射线探测性能。截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于栅极电压对二维半导体NbOI2纳米片载流子的高效调控特性，实现对X射线产生载流子数量的有效放大，进而增强晶体管对X射线的响应，提高X射线探测器的灵敏度。本发明对二维高集成X射线探测器，尤其是高灵敏X射线探测器的应用具有重要意义。
本发明授权一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：通过机械剥离的方法在SiSiO2衬底上得到尺寸最长边大于10微米、厚度为单层或少层的二维半导体NbOI2纳米片； S2：利用微加工技术在S1步骤中的NbOI2纳米片上制备晶体管，包含源、漏和栅三个金属电极； S3：在源和漏极加偏压，在栅极加栅压，对晶体管照射不同剂量率的X射线，通过调整偏压或栅压大小，可以实现高性能的二维半导体晶体管X射线探测； 所述步骤S2中，晶体管的沟道宽度小于10微米，金属电极是Au电极； 所述步骤S3中，所加的栅压和偏压的大小，偏压不超过5V，栅压不超过±60V。
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