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龙图腾网获悉常州维普半导体设备有限公司申请的专利一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120010177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510346628.5，技术领域涉及：G03F1/44；该发明授权一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法是由陈士汉;陈威设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法，方法的步骤中含有：S01：定位并标定Mask图和掩模设计文件生成图上的每个方孔覆盖范围；S02：分别对Mask图上的方孔覆盖范围区域中的每个像素点的原始灰度值进行直方图计算，并定义明暗分界值，将高于明暗分界值的区域作为亮区，并将亮区的灰度直方图峰值点作为灰度标记值，然后将每个方孔覆盖范围区域中的每个像素点的原始灰度值均标记为对应的灰度标记值，得到方孔灰度值图像B；通过该方法能够将Mask图上的方孔的亮度进行均衡优化，保留缺陷的特征的同时能够有效减少掩模设计文件生成图和掩模实拍Mask图的像素灰度之间的差值，有利于缺陷的检测。

本发明授权一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模版通孔层方孔亮度优化的方法，其特征在于方法的步骤中含有： S01：定位并标定Mask图和掩模设计文件生成图上的每个方孔覆盖范围； S02：分别对Mask图上的方孔覆盖范围区域中的每个像素点的原始灰度值进行直方图计算，并定义明暗分界值，将高于明暗分界值的区域作为亮区，并将亮区的灰度峰值点作为灰度标记值，然后将每个方孔覆盖范围区域中的每个像素点的原始灰度值均标记为对应的灰度标记值，得到方孔灰度值图像B； S03：分别基于每个像素点及其邻域像素点的原始灰度值计算掩模设计文件生成图上每个像素点的灰度模拟背景值C和基于方孔灰度值图像B中的每个像素点及其邻域像素点的灰度标记值分别计算Mask图上每个像素点的灰度模拟背景值D； S04：基于步骤S03得到的每个像素点及其邻域像素点的灰度模拟背景值C分别计算掩模设计文件生成图上每个像素点的参考亮度值E和基于步骤S03得到的每个像素点及其邻域像素点的灰度模拟背景值D计算Mask图上每个像素点的参考亮度值F，将参考亮度值E减去参考亮度值F得参考亮度变化值G：如果G为正值，则代表该像素点位置要提升亮度增加灰度值，如果G值为负数，则代表该像素点位置要降低亮度减少灰度值； S05：计算灰度偏移值I，将Mask图上相应像素点的原始灰度值H加上灰度偏移值I，得优化后的灰度值；其中，I=H*GE；其中， 在步骤S03中，相应像素点的灰度模拟背景值的计算方式如下：取相应像素点的周围N*N范围内的像素点中灰度值依次从大到小排列的M个像素点，计算此M个像素点的平均灰度值，作为该像素点的灰度模拟背景值； 在步骤S04中，相应像素点的参考亮度值的计算方式如下：相应像素点的参考亮度值=相应像素点的灰度模拟背景值+该像素点上下左右位置的像素点的灰度模拟背景值的12之和+该像素点左上、左下、右上和右下四个角位置的像素点的灰度模拟背景值的14之和。

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