广东工业大学陈云获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183025.8，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权一种Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法是由陈云;吴恒旭;吴文轩;刘祚辉;吕文奇;侯茂祥;陈新设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及场发射阴极技术领域，尤其涉及一种Al掺杂4H‑SiC纳米线场发射阴极及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：对4H‑SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H‑SiC晶片表面加工出竹节状4H‑SiC纳米线阵列；将竹节状4H‑SiC纳米线阵列剥离下来，并将其浸泡在含Al元素的铝源溶液内，随后取出干燥；将所得的4H‑SiC纳米线阵列在惰性环境中以800～900℃烧结，获得Al掺杂4H‑SiC纳米线阵列，所述Al掺杂4H‑SiC纳米线阵列即为Al掺杂4H‑SiC纳米线场发射阴极。本发明保留竹节状4H‑SiC纳米线独特结构的同时较低温度实现Al掺杂，所得的场发射阴极的开启场强低且电子发射稳定性高。
本发明授权一种Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对4H-SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H-SiC晶片表面加工出竹节状4H-SiC纳米线阵列，将4H-SiC纳米线阵列自4H-SiC晶片上剥离下来； 2将步骤1所得的4H-SiC纳米线阵列浸泡在含Al元素的铝源溶液内，随后取出干燥； 3将步骤2所得的4H-SiC纳米线阵列在惰性环境中以800~900℃烧结，获得Al掺杂4H-SiC纳米线阵列，所述Al掺杂4H-SiC纳米线阵列即为Al掺杂4H-SiC纳米线场发射阴极； 步骤2所得的竹节状4H-SiC纳米线阵列的纳米线长度为110~150μm，宽度为15~38nm；步骤3所得的Al掺杂4H-SiC纳米线阵列中的Al掺杂量为0.16at%~1.63at%。
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