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龙图腾网获悉湖南宏恩电子有限公司申请的专利一种具有静电保护结构的MOS管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510187066.4，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权一种具有静电保护结构的MOS管芯片是由刘轶亮;张述;刘利民设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有静电保护结构的MOS管芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS管芯片技术领域，具体涉及一种具有静电保护结构的MOS管芯片，包括封装盒以及封装在封装盒上的封装盖，封装盒的内部设置有安装槽，封装盒的四周均设置有若干引脚，封装盒的内部设置有封装芯片基板；封装芯片基板远离封装盖的一面设置有绝缘层，绝缘层远离封装芯片基板的一面设置有静电保护层，静电保护层用于引导进行静电防护。相较于现有技术，本申请通过设置有静电保护层，不仅使静电保护层具备了快速泄放静电的能力，还能在恶劣环境下提供长期稳定的使用性能，提升了静电保护的可靠性和适应性，确保芯片在各种复杂环境中的安全性。

本发明授权一种具有静电保护结构的MOS管芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有静电保护结构的MOS管芯片，其特征在于，包括： 封装盒1以及封装在所述封装盒1上的封装盖3，所述封装盒1的内部设置有安装槽2，所述封装盒1的四周均设置有若干引脚4，所述封装盒1的内部设置有封装芯片基板6； 所述封装芯片基板6远离所述封装盖3的一面设置有绝缘层18，所述绝缘层18远离所述封装芯片基板6的一面设置有静电保护层，所述静电保护层包括有屏蔽层7以及导电层8，所述静电保护层用于引导进行静电防护； 所述安装槽2的底部开设有回字形的环绕沟槽12，所述环绕沟槽12的四周均开设有向远离所述封装芯片基板6方向的分散槽13，所述分散槽13呈倾斜开设，所述环绕沟槽12与所述分散槽13的开设深度设置为0.1mm至0.5mm之间，所述环绕沟槽12与所述分散槽13的内部均填充有银粉与环氧树脂复合材料，所述安装槽2的外周还设置有回字形的导向块14，所述导电层8的顶面外周还设置有若干导电柱19，所述导向块14还贯穿所述安装槽2与若干所述导电柱19相接触，所述封装盖3的一角设置有外接柱5，所述外接柱5的底部内嵌于所述环绕沟槽12的一侧内部。

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