华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120082921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510248480.1，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用是由李国强;李相融;曲文韬;谢少华设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请提出一种g‑C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用，在GaN纳米柱表面使用g‑C3N4进行修饰，不但拓宽了光电极材料的吸收光谱范围；g‑C3N4与GaN纳米柱形成了Z型异质结构，有效钝化纳米柱的表面态，有效地将GaN纳米柱导带中的电子转移到二维纳米片g‑C3N4的价带上，从而增加光电流密度，大大提升光电转换效率；为解决GaN纳米柱表面电荷复合带来的效率损失提供了有效的解决方案。且在用于光电化学电池在水分解制氢应用时，使用g‑C3N修饰GaN纳米柱还能够防止GaN纳米柱在电解质中的光电腐蚀，且g‑C3N4作为无金属电催化剂适用于可持续水分解系统，进一步增强了光电极的稳定性，改善了器件的整体光电性能。
本发明授权一种g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种光阴极，其特征在于，所述光阴极包含g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料；所述g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料包括Si衬底，所述Si衬底上生长有GaN纳米柱层，所述GaN纳米柱表面修饰有g-C3N4层； Ti-Au合金将导线与g-C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料的Si衬底背面相连，得到所述光阴极。
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