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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利一种功率MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510296736.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种功率MOS器件及其制备方法是由梁帅;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率MOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，公开了功率MOS器件，包括：漂移层；使用了高导热材料的第一衬底层和第二衬底层，分别设置于漂移层的两侧；漏极层，设置于漂移层的背面；第一沟道层和第二沟道层，分别设置于第一衬底层和第二衬底层的正面；P型阱，设置于第一沟道层和第二沟道层之间，P型阱内部形成有N型掺杂区，N型掺杂区内部形成有P型掺杂区；栅极结构，设置于第一沟道层和第二沟道层的正面；介质层，设置于栅极结构的正面，并包覆栅极结构；介质层设置有连接孔；源极层，设置于介质层的正面，并通过连接孔与N型掺杂区和P型掺杂区接触。本申请有效提升了功率MOS器件的热耗散能力。

本发明授权一种功率MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS器件，其特征在于，所述功率MOS器件包括： 漂移层； 第一衬底层和第二衬底层，分别设置于所述漂移层的两侧，其中，所述第一衬底层和或所述第二衬底层的材料为高导热材料，所述高导热材料包括金刚石； 漏极层，设置于所述漂移层的背面； 第一沟道层和第二沟道层，分别设置于所述第一衬底层和所述第二衬底层的正面； P型阱，设置于所述第一沟道层和所述第二沟道层之间，所述P型阱内部形成有N型掺杂区，所述N型掺杂区内部形成有P型掺杂区，所述P型阱制备的步骤包括：在所述沟道层的正面制备第一氧化物层；在所述第一氧化物层的正面定义第一光刻胶图形；基于所述第一光刻胶图形刻蚀所述第一氧化物层，形成P型阱注入窗口；对暴露于所述P型阱注入窗口的沟道层进行P型掺杂，得到所述P型阱； 栅极结构，设置于所述第一沟道层和所述第二沟道层的正面； 介质层，设置于所述栅极结构的正面，并包覆所述栅极结构；所述介质层设置有连接孔； 源极层，设置于所述介质层的正面，并通过所述连接孔与所述N型掺杂区和所述P型掺杂区接触。

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