陕西硅澳晶科技有限责任公司高世光获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西硅澳晶科技有限责任公司申请的专利一种SiC陶瓷基复合流道插件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120097738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510305628.0，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种SiC陶瓷基复合流道插件及其制备方法和应用是由高世光;温思甜;梁俊芳设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC陶瓷基复合流道插件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及聚变反应堆包层结构中流道插件技术领域，具体涉及一种SiC陶瓷基复合流道插件及其制备方法和应用，在SiC预制布上沉积热解碳界面，得到沉积有热解碳界面的SiC预制布；将SiC粉、ZrO2粉和Al2O3粉混合，得到填料粉体混合物，将填料粉体混合物与水混合，再加入聚碳硅烷得到混合浆料；将混合浆料涂覆在SiC预制布上，对SiC预制布沉积碳化硅基体进行致密化处理，精加工后采用化学气相沉积制备碳化硅涂层，得到SiC陶瓷基复合流道插件，本发明旨在进一步增强SiC陶瓷基复合流道插件的绝热性能和绝缘性能，提高流道插件出口处的平均温度，降低磁流体的压降，实现高效率的能量转化，同时确保反应堆长期安全运行。
本发明授权一种SiC陶瓷基复合流道插件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC陶瓷基复合流道插件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用化学气相渗透工艺在多层SiC预制布上沉积热解碳界面，得到沉积有热解碳界面的SiC预制布； 将SiC粉、ZrO2粉和Al2O3粉球磨混合，对混合后的粉末进行研磨，过筛，得到填料粉体混合物，将所述填料粉体混合物与水混合，再加入聚碳硅烷，搅拌，得到混合浆料；SiC粉、ZrO2粉和Al2O3粉的体积比为10：60~80：10~30，填料粉体混合物与水的质量比为4~6：1，聚碳硅烷在填料粉体混合物中的质量分数为50%~60%； 将所述混合浆料均匀涂覆在沉积有热解碳界面的SiC预制布上，然后对涂覆完混合浆料的SiC预制布沉积碳化硅基体进行致密化处理，得到SiC陶瓷基复合流道插件粗胚； 将所述SiC陶瓷基复合流道插件粗胚进行加工后，采用高温化学气相沉积制备β相碳化硅涂层，得到SiC陶瓷基复合流道插件。
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