合肥芯存半导体有限公司杨一哲获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥芯存半导体有限公司申请的专利动态随机存取存储器的LIO预充控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120126518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510222145.4，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权动态随机存取存储器的LIO预充控制电路是由杨一哲;马颖昊设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器的LIO预充控制电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种动态随机存取存储器的LIO预充控制电路。该LIO预充控制电路中，刷新状态传递单元接收刷新状态信号和功能控制信号且输出第一信号；LIO预充控制单元接收第一信号、读使能信号和写使能信号，且基于第一信号、读使能信号和写使能信号输出LIO预充使能信号，LIO预充使能信号控制存储器对LIO信号线的预充电操作；其中，功能控制信号为高电平信号时，刷新状态传递单元基于刷新状态信号输出第一信号；功能控制信号和刷新状态信号均为高电平信号时，第一信号为高电平信号，LIO预充使能信号为低电平信号，不对LIO信号线预充电，如此可以节省刷新周期中LIO信号线预充电带来的额外功耗。
本发明授权动态随机存取存储器的LIO预充控制电路在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器的LIO预充控制电路，其特征在于，包括： 刷新状态传递单元，接收刷新状态信号和功能控制信号且输出第一信号；以及 LIO预充控制单元，接收所述第一信号、读使能信号和写使能信号，且基于所述第一信号、所述读使能信号和所述写使能信号输出LIO预充使能信号，所述动态随机存取存储器基于所述LIO预充使能信号对所述动态随机存取存储器的LIO信号线进行预充电操作； 其中，所述功能控制信号为高电平信号时，所述刷新状态传递单元基于所述刷新状态信号输出所述第一信号；所述功能控制信号和所述刷新状态信号均为高电平信号时，所述第一信号为高电平信号，所述LIO预充使能信号为低电平信号，所述动态随机存取存储器不对所述LIO信号线预充电。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥芯存半导体有限公司，其通讯地址为：230051 安徽省合肥市经济技术开发区清华路368号合肥格易集成电有限公司辅楼5层01室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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