中国科学院上海技术物理研究所黄志明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120222038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510399444.5，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器是由黄志明;周强国;邱琴茜;李永振;吴吞炭设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器，包括若干正方形周期单元，正方形周期单元包括从上到下依次连接的金属层、中间介质层以及超表面结构，超表面结构包括边缘方形环、设置在四个边缘方形环中部且与四个边缘方形环均相交的中间方形环以及设置在中间方形环内部且与四个边缘方形环均相交的中心方形环；本发明通过独特的超表面结构设计，当太赫兹入射时，吸收器在0‑1.2THz能实现0.51THz和1.01THz强频率选择性的双频段吸收，吸收器在0.51THz的吸收率为83％，Q值为225；在1.01THz的吸收率为92％，Q值为165，表现出高品质因数的双频段吸收，解决了当前太赫兹超表面窄带吸收器品质因数与多频段难以兼顾的问题，在两个太赫兹频段均做到了高品质因数的频率吸收。
本发明授权一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器在权利要求书中公布了：1.一种强频率选择性的双频段太赫兹吸收器，其特征在于，包括若干呈周期排列的正方形周期单元，所述正方形周期单元包括从上到下依次连接的金属层、中间介质层以及超表面结构，所述超表面结构包括呈阵列布置的四个边缘方形环、设置在所述四个边缘方形环中部且与所述四个边缘方形环均相交的中间方形环以及设置在所述中间方形环内部且与所述四个边缘方形环均相交的中心方形环。
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