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嘉兴阿特斯技术研究院有限公司姚铮获国家专利权

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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利电池的制备方法、电池和光伏组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120224836B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510687153.6,技术领域涉及:H10F71/10;该发明授权电池的制备方法、电池和光伏组件是由姚铮;张玲;张达奇;吴坚设计研发完成,并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

电池的制备方法、电池和光伏组件在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电池的制备方法、电池和光伏组件,该电池的制备方法包括:形成硅基中间体;在硅基中间体的第一表面和或第二表面制备透明导电膜层;在透明导电膜层的表面制备减反射层;在减反射层通过含氟离子的酸性溶液形成第一开口区域,第一开口区域被设置为向硅基中间体方向延伸的凹槽,凹槽内的底部为透明导电膜层;在形成第一开口区域制备电极结构,电极结构与透明导电膜层直接接触或延伸至透明导电膜层内部。由此,可以保证硅基中间体的表面完整、无损伤,也可以保证后续电极生长获得充分接触,同时通过温和反应,无过多额外的能量输入,可以使形成第一开口区域的填充因子和开路电压无降低。

本发明授权电池的制备方法、电池和光伏组件在权利要求书中公布了:1.一种电池的制备方法,其特征在于,包括: 形成硅基中间体,所述硅基中间体具有相对设置的第一表面和第二表面; 在所述硅基中间体的所述第一表面和或所述第二表面制备透明导电膜层; 在所述透明导电膜层的表面制备减反射层; 在所述减反射层通过含氟离子的酸性溶液形成第一开口区域,所述第一开口区域被设置为向所述硅基中间体方向延伸的凹槽,所述凹槽内的底部为所述透明导电膜层; 在形成的所述第一开口区域制备电极结构,所述电极结构与所述透明导电膜层直接接触或延伸至所述透明导电膜层内部; 在所述减反射层分别喷射含氢离子的溶液和含氟离子的溶液,从而在所述减反射层通过化学反应生成氢氟酸溶液,进而形成所述第一开口区域的步骤,包括: 在所述减反射层喷射聚丙烯酸溶液; 在所述减反射层喷射氟化铵溶液,从而在所述减反射层通过化学反应生成所述氢氟酸溶液,进而形成所述第一开口区域; 在所述减反射层喷射氟化铵溶液的步骤之前,还包括: 加热所述硅基中间体或所述减反射层的所述聚丙烯酸溶液,直至所述聚丙烯酸溶液呈凝胶状。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司,其通讯地址为:314001 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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