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龙图腾网获悉北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120238109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510200580.7，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权一种上电复位电路是由郑凯伦;郭桂良设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种上电复位电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种上电复位电路，涉及集成电路技术领域，以消除上电复位电路的静态功耗，降低上电复位电路的功耗，包括：放电延时电路、电流镜像电路以及缓冲电路；所述放电延时电路，包括：电容和NMOS管M4，NMOS管M4用于对所述电容进行放电；电流镜像电路，包括：NMOS管M2、NMOS管M3以及PMOS管M9；NMOS管M2的栅极和PMOS管M9的栅极分别与缓冲电路的输出端相连，NMOS管M3的栅极分别与PMOS管M9的源极、NMOS管M2的漏极以及NMOS管M4的栅极相连；电流镜像电路用于在复位信号结束后，关断NMOS管M2，通过PMOS管M9上拉NMOS管M3的漏极电压至电源电压，以使NMOS管M3进入深线性区，切断电流镜像电路中电源到地的直流通路；缓冲电路，用于根据所述放电延时电路中电容的电压变化，输出复位信号。

本发明授权一种上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：放电延时电路、电流镜像电路以及缓冲电路； 所述放电延时电路，包括：电容和NMOS管M4，所述NMOS管M4用于对所述电容进行放电，所述电容的一端分别与所述NMOS管M4的漏极和所述缓冲电路的输入端相连，所述电容的另一端与电源相连；所述NMOS管M4的源极接地； 所述电流镜像电路，包括：NMOS管M2、NMOS管M3以及PMOS管M9；其中，所述NMOS管M2的栅极和所述PMOS管M9的栅极分别与所述缓冲电路的输出端相连，所述NMOS管M2的源极与所述NMOS管M3的漏极相连，所述NMOS管M3的栅极分别与所述PMOS管M9的源极、所述NMOS管M2的漏极以及所述NMOS管M4的栅极相连，所述NMOS管M3的源极接地，所述PMOS管M9的漏极与电源相连； 所述电流镜像电路，用于在复位信号结束后，所述NMOS管M2关断，通过所述PMOS管M9上拉所述NMOS管M3的漏极电压至电源电压，以使所述NMOS管M3进入深线性区，切断所述电流镜像电路中电源到地的直流通路； 所述缓冲电路，包括两级反相器，所述两级反相器，用于根据所述放电延时电路中电容的电压变化，输出复位信号。

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