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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种解耦型柔性GaAs/钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510703395.X，技术领域涉及：H10K39/12；该发明授权一种解耦型柔性GaAs/钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法是由李国强;王宣;王文樑设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种解耦型柔性GaAs/钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于柔性两端叠层太阳能电池的技术领域，公开了一种解耦型柔性GaAs钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法。所述电池包括柔性衬底，设置在柔性衬底上的中间互联导电层、设置在中间互联导电层上的GaAs子电池和钙钛矿子电池；GaAs子电池和钙钛矿子电池独立地设置在中间互联导电层上；GaAs子电池从下到上依次包括空穴传输层、GaAs吸收层和电极；钙钛矿子电池从下到上依次包括电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极。本发明还公开了电池的制备方法。本发明的子电池分别独立制备，避免了因工艺复杂而引入缺陷，光学性能独立调控，两个子电池独立工作，提高了系统的可靠性。本发明显著提升了电池的光伏转换效率。

本发明授权一种解耦型柔性GaAs/钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种解耦型柔性GaAs钙钛矿两端叠层太阳能电池，其特征在于：包括柔性衬底，设置在柔性衬底上的中间互联导电层、设置在中间互联导电层上的GaAs子电池和钙钛矿子电池；GaAs子电池和钙钛矿子电池各自独立地设置在中间互联导电层上；所述GaAs子电池从下到上依次包括空穴传输层、GaAs吸收层和电极；钙钛矿子电池从下到上依次包括电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极；所述GaAs子电池中空穴传输层设置在中间互联导电层上，钙钛矿子电池中电子传输层设置在中间互联导电层上；GaAs子电池和钙钛矿子电池不接触； GaAs吸收层为N型Si惨杂，掺杂浓度为1×1017cm3~1×1018cm3； 所述GaAs子电池设置在中间互联导电层的一端，钙钛矿子电池设置在中间互联导电层的另一端； 所述中间互联导电层为ITO、Mxene材料、二维过渡金属硫族化物中的一种以上； GaAs子电池中，所述空穴传输层为石墨烯、碳纳米管、PEDOT、MXene中的一种以上； 钙钛矿子电池中，所述电子传输层为TiO2、SnO2、C60、BCP或PCBM； 所述解耦型柔性GaAs钙钛矿两端叠层太阳能电池通过以下方法制备得到： 1在GaAs衬底上通过分子束外延生长GaAs缓冲层，然后生长AlAs层和GaAs吸收层，在GaAs吸收层的表面制备GaAs子电池的空穴传输层； 2通过湿法刻蚀，去除AlAs层，获得GaAs吸收层空穴传输层；将GaAs吸收层空穴传输层转移至柔性衬底上中间互联导电层的一端，空穴传输层与中间互联导电层接触；在GaAs表面蒸镀电极，退火形成欧姆接触，获得GaAs子电池； 3将GaAs子电池盖住，在柔性衬底的中间互联导电层另一端制备钙钛矿子电池的电子传输层； 4将钙钛矿前驱体配成溶液，在电子传输层的表面进行旋涂，使用反溶剂法并退火，获得钙钛矿子电池的钙钛矿吸收层； 5在钙钛矿吸收层的表面制备钙钛矿子电池的空穴传输层；空穴传输层上蒸镀电极，获得解耦型柔性GaAs钙钛矿两端叠层太阳能电池。

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