杭州微影传感电子有限公司张晓雨获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州微影传感电子有限公司申请的专利红外探测模组的制备方法、红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120364645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510847929.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权红外探测模组的制备方法、红外探测器是由张晓雨;付丹扬;王健;徐振宇设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外探测模组的制备方法、红外探测器在说明书摘要公布了：本公开的一些实施例公开了一种红外探测模组的制备方法、红外探测器，涉及红外探测器技术领域，用于解决临时键合层易受高温工艺影响而不稳定的问题。该红外探测模组的制备方法包括：形成基底；在基底的第一侧连接第一临时键合层与第一临时基底，第一临时键合层位于基底与第一临时基底之间；在第一温度条件下，在基底的第二侧形成第一键合层，基底的第二侧与基底的第一侧相对，第一温度小于第一键合层的熔点；以及，对第一临时键合层进行加热，以解除基底和第一临时基底的连接；其中，第一临时键合层的熔点大于第一温度且小于第一键合层的熔点；本公开的一些实施例提供的红外探测模组的制备方法用于制备红外探测模组。
本发明授权红外探测模组的制备方法、红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种红外探测模组的制备方法，其特征在于，包括： 形成基底； 在所述基底的第一侧连接第一临时键合层与第一临时基底，所述第一临时键合层位于所述基底与所述第一临时基底之间； 在第一温度条件下，在所述基底的第二侧形成第一键合层，所述基底的第二侧与所述基底的第一侧相对；所述第一温度小于所述第一键合层的熔点；以及， 对所述第一临时键合层进行加热，以解除所述基底和所述第一临时基底的连接； 其中，所述第一临时键合层的熔点，大于所述第一温度，且小于所述第一键合层的熔点； 在所述基底的第一侧连接第一临时键合层与第一临时基底，包括： 在所述基底的第一侧的表面，和或，第一临时基底的朝向所述基底的表面，形成共晶合金层；以及， 采用热压工艺，使所述共晶合金层转化为所述第一临时键合层，并使所述基底与所述第一临时基底通过所述第一临时键合层连接。
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