天合光能股份有限公司杨飞获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510867354.4，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法是由杨飞设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法。太阳能电池包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一面和第二面；导电层，设置于第一面一侧；导电层的材料包括透明导电氧化物，其中，至少部分所述导电层背离所述半导体衬底一侧的面的表面粗糙度小于或等于10nm。因此，本申请提供的太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法，太阳能电池的串联电阻较低。
本发明授权太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一面和第二面； 导电层，设置于所述第一面一侧；所述导电层的材料包括透明导电氧化物； 其中，至少部分所述导电层背离所述半导体衬底一侧的面的表面粗糙度小于或等于10nm； 所述太阳能电池还包括导电牺牲层； 所述导电牺牲层设置于所述导电层背离所述半导体衬底的一侧； 所述导电层的材料包括耐碱且非耐酸材料，所述导电层背离所述半导体衬底一侧的面被配置为耐碱且非耐酸面； 所述导电牺牲层的材料包括两性氧化物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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