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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510554997.3，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法是由陈云;吴恒旭;吕文奇;刘祚辉;侯茂祥;陈新设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及场发射阴极技术领域，尤其涉及一种Au纳米颗粒修饰的4H‑SiC纳米线场发射阴极及其制备方法。该方法包括以下步骤：1对4H‑SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H‑SiC晶片表面加工出竹节状4H‑SiC纳米线阵列，将4H‑SiC纳米线阵列自4H‑SiC晶片上剥离下来；2在步骤1所得的4H‑SiC纳米线阵列表面磁控溅射Au纳米颗粒；3对带有Au纳米颗粒的4H‑SiC纳米线阵列进行退火处理，退火温度200～400℃，保温时间50～70min，得到Au纳米颗粒修饰的4H‑SiC纳米线场发射阴极。本发明对有附着Au纳米颗粒的竹节状4H‑SiC纳米线进行退火处理，所得场发射阴极开启电场低且电子发射稳定性高。

本发明授权一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对4H-SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H-SiC晶片表面加工出竹节状4H-SiC纳米线阵列，将4H-SiC纳米线阵列自4H-SiC晶片上剥离下来； 2在步骤1所得的4H-SiC纳米线阵列表面磁控溅射Au纳米颗粒； 3对带有Au纳米颗粒的4H-SiC纳米线阵列进行退火处理，退火温度200~400℃，保温时间50~70min，得到Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极； 所述步骤1中，4H-SiC晶片作为阳极，Pt片作为阴极，将4H-SiC晶片的C面作为刻蚀面正对于Pt电极，置于刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀电压为20V，刻蚀时间为27~30min； 所述刻蚀液中，99vol%乙二醇、45wt%氢氟酸和30wt%过氧化氢的体积比为6:3:1； 将刻蚀完的4H-SiC晶片上的4H-SiC纳米线阵列剥离下来，然后放入乙醇溶液中浸泡，清洗后自然风干； 在刻蚀前，所述4H-SiC晶片依次在丙酮、乙醇、去离子水进行超声波清洗，之后自然风干。

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