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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510899257.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件是由姚佳飞;孙启;田旺;陈远琴;郭宇锋;李曼;陈静;杨可萌;张珺;张茂林设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件，包括从下至上依次布设的碳化硅有源区和高K金属栅结构；高K金属栅结构包括金属栅极和至少部分包裹在金属栅极顶部的高K介质；位于高K金属栅结构两侧的碳化硅有源区顶部分别设置有源极和漏极；源极设置有位于高K介质顶部且处于金属栅极上方的指型场板；指型场板包括若干根手指；每根手指均沿金属栅极宽度方向布设，一端均与源极相连接，另一端均超出背离源极一侧的金属栅极长边一。本发明能有效保障器件栅极稳定性，降低沟道电阻；同时能在碳化硅有源区表面引入电场峰值，优化碳化硅有源区表面电场分布，解决金属栅极边缘附近碳化硅有源区表面电场过于集中导致器件提前击穿的问题。

本发明授权一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件，其特征在于：包括从下至上依次布设的碳化硅有源区和高K金属栅结构； 碳化硅有源区具有半导体漂移区，且半导体漂移区的掺杂浓度Nd能达到3.5×1016cm-3； 高K金属栅结构包括金属栅极和至少部分包裹在金属栅极顶部的高K介质； 位于高K金属栅结构两侧的碳化硅有源区顶部分别设置有源极和漏极； 源极设置有位于高K介质顶部且处于金属栅极上方的指型场板； 指型场板包括沿金属栅极长度方向均匀间隔布设的Xf根手指；每根手指均沿金属栅极宽度方向布设，一端均与源极相连接，另一端均超出背离源极一侧的金属栅极长边一； 手指的数量Xf，根据器件的FOM峰值进行确定； 每根手指超出金属栅极长边一的长度均为Lfp，则Lfp=1~2µm； 每根手指的宽度为Wf，相邻手指之间的间距为d，则Wf：d=1:1或1:2； 指型场板的设置，能使半导体漂移区两侧的最大电场峰值降至2.3MVcm，且在半导体漂移区内每根手指末端均形成一个局部电场峰值，从而呈现Xf个局部电场峰分布，进而能缓解电场聚集，避免提前击穿。

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