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龙图腾网获悉北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种上拉电阻检测电路及传感器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120468512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510969020.8，技术领域涉及：G01R27/14；该发明授权一种上拉电阻检测电路及传感器芯片是由于泽洋;郭桂良设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种上拉电阻检测电路及传感器芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种上拉电阻检测电路及传感器芯片，涉及电子工程及数字电路技术领域，以解决现有技术中无法对低有效中断管脚处的上拉电阻进行有效测量的问题。电路至少包括：电压搬移电路、电压比较电路以及电压生成电路；其中，电压搬移电路用于将目标节点电压的变化搬移至所述目标低有效中断管脚；电压比较电路用于将所述目标节点电压与接地电压进行比较，根据比较结果对目标节点进行电压调节，调节后的上拉电阻检测电路的环路电压保持稳定；电压生成电路用于生成上拉电阻的检测电压，并将检测电压传递至传感器芯片中的模数转换器；实现了对低有效中断管脚处上拉电阻的有效测量。

本发明授权一种上拉电阻检测电路及传感器芯片在权利要求书中公布了：1.一种上拉电阻检测电路，其特征在于，至少包括： 电压搬移电路、电压比较电路以及电压生成电路； 所述电压搬移电路的第一端与目标低有效中断管脚连接，所述电压搬移电路的第二端与所述电压比较电路的第一端连接；所述电压比较电路的第二端与所述电压生成电路的第一端连接，所述电压生成电路的第二端与所述目标低有效中断管脚连接；其中，所述目标低有效中断管脚与上拉电阻的第一端连接，所述上拉电阻的第二端与第一电源端连接； 所述电压搬移电路包括第一电容、第一NMOS管以及第二NMOS管；所述电压搬移电路用于将目标节点电压的变化搬移至所述目标低有效中断管脚； 所述电压比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第八NMOS管、第一电阻、第三电阻以及第四电阻；所述电压比较电路用于将所述目标节点电压与接地电压进行比较，根据比较结果对目标节点进行电压调节，调节后的上拉电阻检测电路的环路电压保持稳定； 所述电压生成电路包括第一开关、第六NMOS管、第七NMOS管以及第二电阻；所述电压生成电路用于生成上拉电阻的检测电压，并将所述检测电压传递至传感器芯片中的模数转换器。

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