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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利碳化硅器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510954386.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅器件及其制造方法是由吴健设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅器件及其制造方法，属于集成电路技术领域，该碳化硅器件的制造方法，包括提供衬底及其顶部的外延层，外延层中设置有体区、接触区和至少两个源漏区，外延层的顶部依次设置有栅极氧化层、栅极和介质层，接触区的顶部设置有开口；在接触区的顶部和源漏区暴露出的区域中，通过热氧化工艺形成牺牲氧化层，接触区的顶表面低于源漏区的底面；刻蚀去除牺牲氧化层及部分的侧墙材料层，以在介质层的侧壁上形成侧墙，且侧墙的底部与源漏区的顶部之间还具有空隙。通过使孔刻蚀到源漏区的底部便于形成后续的肖特基二极管，同时利用侧墙下面的空隙形成了较为理想接触孔的剖面结构，提高了器件的性能，节省了工艺成本以及生产周期。

本发明授权碳化硅器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底及其顶部的外延层，所述外延层中设置有体区、接触区和至少两个源漏区，相邻两个源漏区相背的一侧和底部设置所述体区，所述接触区设置在相邻两个源漏区之间，且所述接触区的两侧与所述体区相接，所述外延层的顶部依次设置有栅极氧化层、栅极和介质层，所述接触区的顶部设置有开口，所述开口贯穿所述介质层，并暴露出所述源漏区靠近所述接触区一侧的至少部分的侧壁和至少部分的顶面； 在所述接触区的顶部和所述源漏区暴露出的区域中，通过热氧化工艺形成牺牲氧化层，所述接触区的顶表面低于所述源漏区的底面，且高于所述体区的底面； 在所述牺牲氧化层和所述介质层上形成侧墙材料层，刻蚀去除所述牺牲氧化层及部分的侧墙材料层，以在所述介质层的侧壁上形成侧墙，且所述侧墙的底部与所述源漏区的顶部之间还具有空隙； 在所述接触区的顶部及所述空隙中设置凹型的接触金属层。

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