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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利沟槽栅MOSFET及制造方法、单元胞结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990217.X，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权沟槽栅MOSFET及制造方法、单元胞结构制造方法是由盛况;胡子健;任娜设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅MOSFET及制造方法、单元胞结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种沟槽栅MOSFET及制造方法、单元胞结构制造方法，包括沟道层、形成于沟道层内的两组以上的沟槽、第一电流流通层、第二电流流通层、栅介质层和栅极电极；第一电流流通层位于沟槽的底部，且第一电流流通层还沿沟槽的非沟道一侧延伸至沟槽的上表面；第二电流流通层靠近沟槽的沟道一侧设置，且第二电流流通层位于沟道层的上表面；栅介质层覆盖第一电流流通层以及第二电流流通层，并与沟槽的部分侧壁接触设置；栅极电极覆盖栅介质层并填充于沟槽内，解决了沟槽栅无法通过复刻平面栅构造长沟道的方式来避免寄生电阻影响的问题。

本发明授权沟槽栅MOSFET及制造方法、单元胞结构制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括沟道层、形成于沟道层内的两组以上的沟槽、第一电流流通层、第二电流流通层、栅介质层和栅极电极，两组以上的所述沟槽的深度小于沟道层的深度； 所述第一电流流通层位于沟槽的底部，且所述第一电流流通层还沿沟槽的非沟道一侧延伸至沟槽的上表面； 所述第二电流流通层靠近沟槽的沟道一侧设置，且所述第二电流流通层位于沟道层的上表面，所述第二电流流通层的深度小于沟槽的深度； 所述栅介质层覆盖所述第一电流流通层以及第二电流流通层，并与沟槽的部分侧壁接触设置； 所述栅极电极覆盖所述栅介质层并填充于所述沟槽内； 在相邻的两组沟槽中，其中一组沟槽内的第一电流流通层与另一组沟槽内的第二电流流通层接触设置； 还包括源极电极、漏极电极、第一接触区以及第二接触区，且所述源极电极、漏极电极、第一接触区以及第二接触区均位于沟道层的上表面，所述第二接触区与第一接触区的侧壁接触设置，所述源极电极与第二接触区以及部分第一接触区接触设置，并形成欧姆接触；所述漏极电极与部分第一接触区接触设置，并形成欧姆接触；所述第一接触区与第一电流流通层接触设置，所述第一接触区还与第二电流流通层接触设置，所述第一接触区与第一电流流通层、第二电流流通层形成电流流通路径，所述沟道层和第二接触区均为第一导电类型掺杂，所述第一电流流通层、第二电流流通层和第一接触区均为与第一导电类型掺杂相反的第二导电类型掺杂。

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